技術(shù)編號(hào)：7230215
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造方法及其設(shè)備，特別是涉及一種自晶圓表 面上移除光阻殘余物的方法及其設(shè)備。背景技術(shù)半導(dǎo)體元件自數(shù)十年前出現(xiàn)至今，在降低元件尺寸方面已有長(zhǎng)足的進(jìn) 步，并且依循著每?jī)赡杲档鸵话氤叽绱笮〉姆▌t(稱為摩爾定律)，意謂著 晶片上的元件數(shù)量將是每?jī)赡暝黾右槐丁，F(xiàn)今制造廠所生產(chǎn)的元件，其尺，S 0. 13 m甚至是90 nm或更小在降低集成電路尺寸的制造過程中相鄰金屬線間的電容性耦合(capacitive coupling)。鑲嵌過程(damasc...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。