技術(shù)編號：7233431
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲器件及其制造方法，并且更具體涉及非易失性存 儲器件及其制造方法。背景技術(shù)近來，對于非易失性存儲器件的需求穩(wěn)步上升，這種非易失性存儲器件 可電編程和擦除并且不需要用于周期性重寫數(shù)據(jù)的刷新操作。為了開發(fā)可 存儲海量數(shù)據(jù)的大容量存儲器件，已經(jīng)對存儲器件的高集成技術(shù)積極進(jìn)行 研究。在此，"編程"是指向存儲單元寫入數(shù)據(jù)，而"擦除"是指移除已 經(jīng)寫入存儲單元的數(shù)據(jù)。因此，為了實(shí)現(xiàn)高度集成的非易失性存儲器件，已經(jīng)提出NAND型快 閃存儲器件，其中多個(gè)...
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