技術(shù)編號(hào)：7234704
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及高密度存儲(chǔ)器裝置，該裝置采用相變化材料，包含硫?qū)倩?chalcogenide)材料與其他材料，同時(shí)包括制造上述裝置的方 法。背景技術(shù)相變化存儲(chǔ)器材料，已廣泛運(yùn)用于可讀寫光盤之中。這種材料至 少具有兩種固態(tài)相，例如，包含通常的非晶(generally amorphous) 固態(tài)相與通常的結(jié)晶(crystalline)固態(tài)相。可讀寫光盤利用激光脈 沖(laser-pulse)以改變相態(tài)，同時(shí)由此讀取相變化后的材料光學(xué) 性質(zhì)。采用硫?qū)倩锘蚱渌嗨撇?..
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。