技術(shù)編號(hào):7236660
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種具有垂直層狀漏極結(jié)構(gòu)的M0SFET及其漏極制造方法。 背景技術(shù)高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件(工作電壓高于10V) 作為L(zhǎng)CD等小型功率產(chǎn)品中的驅(qū)動(dòng),有著廣泛應(yīng)用。高壓器件中,溝道內(nèi)的 縱向、橫向電場(chǎng)急劇增加,從而存在較為嚴(yán)重的熱載流子效應(yīng)(HCI)可靠性 問(wèn)題,限制了晶體管的使用壽命。襯底電流(I,)是一種常用且方便的表征HCI的方法。在常見(jiàn)的晶體管中,ISUB-Ios曲線只有一個(gè)IsUB峰,對(duì)應(yīng)溝it^面的碰撞電離。...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。