技術(shù)編號(hào):7236700
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種集成電路工藝方法,特別是涉及一種。背景技術(shù)隨著集成電路特征尺寸的不斷縮小,多晶硅柵極之間的間距也變得越來(lái)越 小,這就對(duì)金屬層之前的介質(zhì)層的填充性提出了更高的要求。在0.13um以前的 技術(shù)代,往往采用含硼磷的二氧化硅作為填充介質(zhì)。但含硼磷的二氧化硅的填 充能力有限,為了延長(zhǎng)它的使用壽命,必須增加多晶硅柵極之間的空間來(lái)使得 介質(zhì)更易填充。L型邊墻就是基于這一要求而開(kāi)發(fā)的 一種新型工藝。L型邊墻通過(guò)各向異性的干法刻蝕將最上層的氧化硅、氮化硅去除,...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。