技術(shù)編號：7236797
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種位置探測器，特別是基于氮化鈦和硅異質(zhì)結(jié)制作 的具有高靈敏度的光電位置探測器。背景技術(shù)光電位置探測器的構(gòu)思早在1957年由Wallmark提出來，它的基 本結(jié)構(gòu)是由一高電導(dǎo)層薄膜覆蓋在半導(dǎo)體的基底上，構(gòu)成一個肖特基 二極管結(jié)構(gòu)，在其界面區(qū)形成一個內(nèi)建電場。當一個小的光點照在探 測器上后，會在光斑附近產(chǎn)生大量的光生電子、空穴對，在內(nèi)建場作 用下，電子和空穴在空間擴散，在高電導(dǎo)一側(cè)的載流子會迅速達到 一個新的平衡分布，使之成為等勢體，而在半導(dǎo)體一側(cè)...
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