技術(shù)編號：7239857
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及復(fù)合襯底以及在復(fù)合襯底上的πι-v族發(fā)光器件的生長。背景技術(shù)包括發(fā)光二極管(LED)、共振腔發(fā)光二極管(RCLED)、垂直腔激光二極管(VCSEL)、以及邊緣發(fā)射激光器的半導(dǎo)體發(fā)光器件是目前可獲得的最有效的光源。在能夠跨越可見光譜范圍工作的高亮發(fā)光器件的制造中，目前感興趣的材料系統(tǒng)包括III-V族半導(dǎo)體，特別是鎵、鋁、銦和氮的ニ元、三元、和四元合金，也稱為III族氮化物材料。典型地，III族氮化物發(fā)光器件通過由金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(M0CVD)、...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。