技術(shù)編號：7243767
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種。半導體發(fā)光裝置包括一第一發(fā)光單元、一第二發(fā)光單元、一第一透明導電層、以及多個導電微結(jié)構(gòu)。第二發(fā)光單元設置于第一發(fā)光單元上，第一透明導電層設置于第一發(fā)光單元和第二發(fā)光單元之間。多個導電微結(jié)構(gòu)設置于第一透明導電層和第一發(fā)光單元之間。采用本發(fā)明，可以提升p型摻雜層與n型摻雜層之間的歐姆性接觸，進而提高半導體發(fā)光裝置的發(fā)光效率。專利說明[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種，且特別是有關(guān)于一種具有多 個導電微結(jié)構(gòu)的堆棧。背景技術(shù)[0002]近年來，發(fā)光二極管裝置的應...
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