技術(shù)編號：7255653
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種。其包括采用主要含氧等離子工藝，去除介電層頂部平面的所有光刻膠以及刻蝕開口側(cè)壁的部分光刻膠；采用主要既含氧，又含F(xiàn)或CL的等離子工藝，去除步驟1中濺射的介電顆粒，以及刻蝕開口側(cè)壁經(jīng)步驟1后刻蝕開口側(cè)壁剩余光刻膠中的部分光刻膠；采用主要含氧等離子工藝去除刻蝕開口側(cè)壁經(jīng)過步驟1和2后剩余的所有光刻膠。通過形成刻蝕開口的過程中，在中間步驟等離子處理過程中在去除刻蝕開口內(nèi)腔中部分光刻膠的同時，一并去除在前一等離子處理過程中濺射出的、沉積在光刻膠表面...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。