技術(shù)編號(hào)：7258138
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種器件包括二極管，該二極管包括位于半導(dǎo)體襯底中的第一、第二和第三摻雜區(qū)域。第一摻雜區(qū)域具有第一導(dǎo)電類型并且具有第一雜質(zhì)濃度。第二摻雜區(qū)域具有第一導(dǎo)電類型并且具有比第一雜質(zhì)濃度低的第二雜質(zhì)濃度。第二摻雜區(qū)域圍繞第一摻雜區(qū)域。第三摻雜區(qū)域具有與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型，其中第三摻雜區(qū)域與第一摻雜區(qū)域的一部分和第二摻雜區(qū)域的一部分重疊。本發(fā)明還公開了CMOS圖像傳感器及其形成方法。專利說(shuō)明CMOS圖像傳感器及其形成方法[0001]本申請(qǐng)要求于...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。