技術(shù)編號:7258650
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種場效應(yīng)晶體管,涉及半導(dǎo)體器件,為了能夠使器件同時具備高擊穿電壓和高飽和輸出電流而發(fā)明。該場效應(yīng)晶體管,包括襯底,形成于所述襯底上方的溝道層,形成于所述溝道層上方的勢壘層,形成于所述勢壘層上方的源極、漏極、柵極,所述源極和所述漏極分別位于所述柵極的兩側(cè),以及形成于所述柵極和所述漏極之間的至少一個歐姆接觸金屬條。本發(fā)明主要應(yīng)用在使用三五族化合物半導(dǎo)體的場效應(yīng)晶體管。專利說明一種場效應(yīng)晶體管 [0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件,尤其涉及一種使...
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