技術編號：7260182
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了一種FinFET器件及其制造方法，包括多個鰭片結(jié)構，在襯底上沿第一方向延伸；多個柵極堆疊，沿第二方向延伸并且跨越了每個鰭片結(jié)構；多個源漏區(qū)，位于每個柵極堆疊沿第二方向兩側(cè)；多個溝道區(qū)，由位于多個源漏區(qū)之間的鰭片結(jié)構構成；其中，每個鰭片結(jié)構沿第二方向的側(cè)壁具有多個突起。依照本發(fā)明的，在鰭片側(cè)面形成連續(xù)突起特別是弧線表面，提高了抑制短溝道效應的能力，同時在同一平面投影面積下增大了溝道有效導電總截面面積，從而提高了器件總體性能。專利說明 [00...
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