技術編號：7260788
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了一種，包括步驟1）在硅片上，進行通孔刻蝕；2）在通孔的側壁和底部形成第一金屬阻擋層，其中，第一金屬阻擋層是由作為底層的Ti層和Ti層之上的第一TiN層所構成；3）在第一TiN層表面上，形成第二金屬阻擋層，其中，第二金屬阻擋層為第二TiN層，該第二TiN層中的氧氣含量低于第一TiN層；4）退火處理。本發(fā)明能解決現(xiàn)有的通孔填充阻擋層產生空洞的問題，有效的提高產品良率。專利說明 [0001]本發(fā)明涉及一種半導體集成電路中的成膜方法，特別是涉及一...
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