技術(shù)編號(hào)：7262225
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開(kāi)了一種VDMOS器件的條形元胞結(jié)構(gòu)及其制作方法，所述條形元胞結(jié)構(gòu)包括漏區(qū)；位于漏區(qū)上的外延層；位于所述外延層內(nèi)的橫向溝道、第一阱區(qū)、第二阱區(qū)以及嵌入在所述第一阱區(qū)中的第一源區(qū)、嵌入在所述第二阱區(qū)中的第二源區(qū)，其中，所述橫向溝道包括溝道阱區(qū)和嵌入在溝道阱區(qū)中的溝道源區(qū)；位于所述外延層上的柵氧化層，所述柵氧化層完全覆蓋所述橫向溝道；位于所述柵氧化層上的多晶硅層，所述多晶硅層的長(zhǎng)邊方向與所述橫向溝道垂直。本發(fā)明通過(guò)在多晶硅層下的外延層中增加垂直于多晶硅...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。