技術(shù)編號：7353246
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種利用形成在公共半導(dǎo)體襯底中的絕緣柵極晶體管和反 平行二極管構(gòu)造的半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)例如，在對應(yīng)于日本專利公開No.2005-317751的US 2005/0258493、對 應(yīng)于日本專利公開No.2007-134625的US 2007/0108468以及對應(yīng)于日本專 利公開No.2007-214541的US 2007/0170549中披露了利用形成在公共半導(dǎo) 體襯底中的絕緣柵極晶體管和反平行二極管構(gòu)造的半導(dǎo)體器件。圖19示出了在US 200...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。