技術(shù)編號(hào):7519819
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種絕緣柵雙極型晶體管,通稱為IGBTansulatedGate Bipolar Transistor),特別涉及一種具有智能保護(hù)的IGBT,屬于IGBT的改進(jìn)。背景技術(shù)常規(guī)的IGBT可見(jiàn)圖1,可看作是一個(gè)簡(jiǎn)單的晶體管,由G極輸入信號(hào),控制C極與 E極的截止與開(kāi)通。此電子器件沒(méi)有任何保護(hù)功能,因此抗干擾能力非常差,在使用過(guò)程中 發(fā)生任何一些異常如超溫、過(guò)流、過(guò)壓、欠壓等狀況都有可能燒壞而失效。現(xiàn)在也出現(xiàn)了具 有保護(hù)功能的IGBT,IGBT保護(hù)...
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該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
該類(lèi)技術(shù)注重原理思路,無(wú)完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。