技術編號：7579339
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型涉及半導體器件制造，特別是非晶硅有源尋址面陣圖像傳感器的制造。當采用非晶硅薄膜晶體管(TFT)作為矩陣開關、非晶硅光電二極管(PIN)作為光敏感像元，而形成面陣圖像傳感器時，在TFT與PIN間要用低溫形成的(180℃以下)絕緣層將它們分隔開。雖然非晶氮化硅(SiNx)是很好的絕緣材料，但由于其成膜溫度較高(350℃左右)，因而較難用于非晶硅有源尋址面陣圖像傳感器中。通常采用聚酰亞胺(PI)材料作為絕緣材料。聚酰亞胺類有機材料明顯的弱點是怕潮。因而...
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