本發(fā)明涉及一種TFT基板的制造方法。另外，本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光(Electroluminescence，EL)顯示裝置及其制造方法、以及液晶顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
：：在有機(jī)EL顯示裝置或液晶顯示裝置等中，在具備薄膜晶體管(ThinFilmTransistor，TFT)元件的基板上設(shè)置有形成有圖案的層間絕緣膜。在形成所述層間絕緣膜時廣泛使用硬化性組合物，其原因在于：用以獲得所需的圖案形狀的步驟數(shù)少、且可獲得充分的平坦性。在所述顯示裝置中的層間絕緣膜中，除絕緣性、耐溶劑性、耐熱性、硬度、及氧化銦錫(IndiumTinOxide，ITO)濺鍍適應(yīng)性優(yōu)異等硬化膜的物性以外，還期望高透明性。另外，為了提升TFT基板的制造步驟中的節(jié)拍時間(takttime)，而期望提升層間絕緣膜的感度。進(jìn)而，隨著面板的高精細(xì)化得到發(fā)展，而要求提升層間絕緣膜的解析力。為了滿足所述各種特性，將化學(xué)增幅系的層間絕緣膜應(yīng)用于有機(jī)EL顯示裝置或液晶顯示裝置的面板生產(chǎn)商增加。作為所述化學(xué)增幅系的層間絕緣膜中所使用的感光性樹脂組合物，已知有例如專利文獻(xiàn)1中所記載的。在層間絕緣膜的形成步驟的后續(xù)步驟中，形成經(jīng)圖案化的氧化銦錫(ITO)膜或氮化硅膜(SiNx)等無機(jī)膜層。在所述后續(xù)步驟中，通常經(jīng)過如下的步驟來制造TFT基板：(1)利用化學(xué)氣相沉積(ChemicalVaporDeposition，CVD)法、濺鍍法等將所述無機(jī)膜層全面形成于層間絕緣膜的上層的步驟；(2)使用抗蝕劑組合物在所述無機(jī)膜層上形成抗蝕劑層，并通過曝光、顯影而形成經(jīng)圖案化的蝕刻抗蝕劑層的步驟；(3)利用濕式蝕刻或干式蝕刻，經(jīng)由所述蝕刻抗蝕劑層對所述無機(jī)膜進(jìn)行蝕刻的步驟；(4)使用胺系的剝離液組合物將所述蝕刻抗蝕劑層剝離去除的步驟。在專利文獻(xiàn)1的段落0237中記載有感光性樹脂組合物層對于含有二甲基亞砜(Dimethylsulfoxide，DMSO)及單乙醇胺的剝離液組合物的耐受性評價。已知二甲基亞砜是良好地溶解許多有機(jī)化合物·無機(jī)化合物的安全性高的溶劑，另一方面，其為難分解性有機(jī)硫化合物，雖然急性毒性低，但對于細(xì)胞組織的滲透性高。另外，通過熱分解或微生物分解，二甲基亞砜有時分解成毒性高的惡臭物質(zhì)二甲基硫醚(Dimethylsulfide，DMS)。二甲基硫醚在自然界中以低濃度存在，但若通過二甲基亞砜的還原而在局部以高濃度產(chǎn)生二甲基硫醚，則對于生物體的高毒性令人擔(dān)憂。因這些背景，不使用二甲基亞砜的剝離液的使用增加。作為不含二甲基亞砜的剝離液組合物，已知有例如專利文獻(xiàn)2中所記載的剝離液組合物?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本專利特開2013-210607號公報專利文獻(xiàn)2：日本專利特開2008-216296號公報技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：發(fā)明所要解決的問題當(dāng)將所述專利文獻(xiàn)2中所記載的剝離液組合物應(yīng)用于層間絕緣膜形成步驟的后續(xù)步驟時，在使用所述剝離液組合物將形成于層間絕緣膜上層的無機(jī)膜上所形成的蝕刻抗蝕劑膜剝離去除的步驟中，雖然可良好地剝離蝕刻抗蝕劑層，但經(jīng)剝離的蝕刻抗蝕劑膜再附著于所述層間絕緣膜(有機(jī)膜)的表面，并作為蝕刻抗蝕劑殘渣而殘留成為問題。本發(fā)明所要解決的問題在于提供一種使用剝離液組合物將所述無機(jī)膜上的蝕刻抗蝕劑層剝離去除后的硬化膜(有機(jī)膜)表面的蝕刻抗蝕劑殘渣少的TFT基板的制造方法。進(jìn)而，本發(fā)明的目的在于提供一種所述硬化性組合物的硬化感度優(yōu)異、且所獲得的硬化膜的耐剝離液性優(yōu)異的TFT基板的制造方法。進(jìn)而，本發(fā)明的目的在于提供一種使用此種TFT基板的制造方法的有機(jī)EL顯示裝置、及液晶顯示裝置的制造方法。解決問題的技術(shù)手段本發(fā)明的所述課題通過以下的＜1＞、＜10＞、＜11＞、＜12＞、及＜13＞中所記載的手段來解決。以下一并記載作為優(yōu)選的實(shí)施形態(tài)的＜2＞～＜9＞。＜1＞一種TFT基板的制造方法，其至少依次包括下述的步驟1～步驟6，步驟1：使用由下述組成a所表示的硬化性組合物，在具備TFT元件的基板上形成有機(jī)膜的步驟步驟2：在所述有機(jī)膜上的至少一部分上形成無機(jī)膜的步驟步驟3：使用抗蝕劑組合物在所述無機(jī)膜上形成抗蝕劑層的步驟步驟4：對所述抗蝕劑層進(jìn)行曝光及利用水性顯影液進(jìn)行顯影的步驟步驟5：經(jīng)由經(jīng)顯影的所述抗蝕劑層對所述無機(jī)膜進(jìn)行蝕刻的步驟步驟6：使用由下述組成b所表示的剝離液組合物將所述抗蝕劑層剝離去除的步驟組成a：含有作為成分A的包含含有具有酸基由酸分解性基保護(hù)的基的構(gòu)成單元a1的聚合體1的聚合體成分、作為成分B的光酸產(chǎn)生劑、作為成分C的分子量為1,000以下的交聯(lián)劑、以及作為成分D的有機(jī)溶劑，成分A在所有聚合體成分中不含具有交聯(lián)性基的構(gòu)成單元a2，或相對于所有聚合體成分中的所有構(gòu)成單元，以5摩爾％以下的比例含有具有交聯(lián)性基的構(gòu)成單元a2，成分C的含量為組合物的所有有機(jī)固體成分中的7質(zhì)量％～30質(zhì)量％，組成b：含有作為成分I的胺化合物、以及作為成分II的由下述式II-1和/或下述式II-2所表示的化合物，成分I的含量相對于剝離液組合物的總量為5質(zhì)量％～70質(zhì)量％，成分I及由式II-1所表示的化合物的合計含量相對于剝離液組合物的總量為50質(zhì)量％～100質(zhì)量％[化1]式中，R1～R3分別獨(dú)立地表示氫原子或烷基，R1與R2、或R1與R3可連結(jié)而形成環(huán)，R4表示亞烷基，R5表示氫原子或烷基，n表示1～4的整數(shù)。＜2＞根據(jù)＜1＞所述的TFT基板的制造方法，其中在所述剝離液組合物中，由式II-1所表示的化合物為N-甲基吡咯烷酮、1-(羥基甲基)-2-吡咯烷酮、二甲基乙酰胺、N-甲基甲酰胺、二甲基甲酰胺、或這些的混合物。＜3＞根據(jù)＜1＞或＜2＞所述的TFT基板的制造方法，其中在所述剝離液組合物中，由式II-2所表示的化合物為二乙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、或這些的混合物。＜4＞根據(jù)＜1＞至＜3＞中任一項所述的TFT基板的制造方法，其中所述剝離液組合物中的所述胺化合物為具有羥基的胺化合物。＜5＞根據(jù)＜4＞所述的TFT基板的制造方法，其中所述具有羥基的胺化合物為由下述式I-1所表示的化合物，[化2]式中，R6～R8分別獨(dú)立地表示氫原子、烷基、羥基或羥基烷基，R6～R8的至少一個表示羥基烷基或羥基。＜6＞根據(jù)＜4＞或＜5＞所述的TFT基板的制造方法，其中所述具有羥基的胺化合物為選自由單乙醇胺、N-丙醇胺、單異丙醇胺、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、單甲基乙醇胺、N,N-二乙基羥基胺所組成的群組中的至少一種。＜7＞根據(jù)＜1＞至＜6＞中任一項所述的TFT基板的制造方法，其中所述交聯(lián)劑為選自由分子內(nèi)具有兩個以上的環(huán)氧基或氧雜環(huán)丁基的化合物、封閉型異氰酸酯化合物、及含有烷氧基甲基的交聯(lián)劑所組成的群組中的至少一種。＜8＞根據(jù)＜1＞至＜7＞中任一項所述的TFT基板的制造方法，其中所述聚合體1的構(gòu)成單元a1為具有酸基由縮醛的形式保護(hù)的基的構(gòu)成單元。＜9＞根據(jù)＜1＞至＜8＞中任一項所述的TFT基板的制造方法，其中所述光酸產(chǎn)生劑為選自由肟磺酸酯化合物、酰亞胺磺酸酯化合物及鎓鹽化合物所組成的群組中的至少一種。＜10＞一種有機(jī)EL顯示裝置的制造方法，其包括根據(jù)＜1＞至＜9＞中任一項所述的TFT基板的制造方法。＜11＞一種液晶顯示裝置的制造方法，其包括根據(jù)＜1＞至＜9＞中任一項所述的TFT基板的制造方法。＜12＞一種有機(jī)EL顯示裝置，其通過根據(jù)＜10＞所述的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法來制造。＜13＞一種液晶顯示裝置，其通過根據(jù)＜11＞所述的液晶顯示裝置的制造方法來制造。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，可提供一種抗蝕劑層的剝離去除性得到提升、且不會作為殘渣附著于有機(jī)膜上的TFT基板的制造方法。另外，本發(fā)明還可提供一種抗蝕劑層的感度高、且經(jīng)硬化的抗蝕劑層的耐剝離液性優(yōu)異的TFT基板的制造方法。同時，本發(fā)明可提供一種使用此種TFT基板的有機(jī)EL顯示裝置、及液晶顯示裝置的制造方法。附圖說明圖1表示有機(jī)EL顯示裝置的一例的構(gòu)成概念圖。表示底部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置中的具有TFT元件的基板的示意剖面圖，且具有平坦化膜(有機(jī)膜)4。圖2表示液晶顯示裝置的一例的構(gòu)成概念圖。表示液晶顯示裝置中的具有有源矩陣TFT元件的基板的模式的示意剖面圖，且具有作為層間絕緣膜的硬化膜(有機(jī)膜)17。具體實(shí)施方式以下，對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。在本說明書中，當(dāng)數(shù)值范圍如“～”般表示時，所述數(shù)值范圍是指包含其前后所記載的下限值及上限值的范圍。另外，本發(fā)明中的有機(jī)EL元件是指有機(jī)電致發(fā)光元件。在本說明書中的化合物的表述中，關(guān)于“基(原子團(tuán))”，未記載經(jīng)取代及未經(jīng)取代的表述包含未經(jīng)取代的基，并且也包含具有取代基的基。例如，所謂“烷基”，不僅包含不具有取代基的烷基(未經(jīng)取代的烷基)，也包含具有取代基的烷基(經(jīng)取代的烷基)。另外，本說明書中的化學(xué)結(jié)構(gòu)式還存在以省略氫原子的簡略結(jié)構(gòu)式來記載的情況。再者，在本說明書中，“(甲基)丙烯酸酯”表示丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯，“(甲基)丙烯酸”表示丙烯酸及甲基丙烯酸，“(甲基)丙烯?；北硎颈；凹谆；?。另外，在本發(fā)明中，也將“成分A：包含含有具有酸基由酸分解性基保護(hù)的基的構(gòu)成單元a1的聚合體1的聚合體成分”等簡稱為“成分A”等。另外，在本發(fā)明中，“質(zhì)量％”與“重量％”的含義相同，“質(zhì)量份”與“重量份”的含義相同。另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選的形態(tài)的兩種以上的組合為更優(yōu)選的形態(tài)。在本發(fā)明中，聚合物成分的分子量為將四氫呋喃(Tetrahydrofuran，THF)作為溶劑時的通過凝膠滲透色譜法(GelPermeationChromatography，GPC)所測定的聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)。＜TFT基板的制造方法＞本發(fā)明的TFT基板的制造方法為至少依次包括下述的步驟1～步驟6的TFT基板的制造方法。步驟1：使用由下述組成a所表示的硬化性組合物，在具備TFT元件的基板上形成有機(jī)膜層的步驟步驟2：在所述有機(jī)膜上的至少一部分上形成無機(jī)膜的步驟步驟3：使用抗蝕劑組合物在所述無機(jī)膜上形成抗蝕劑層的步驟步驟4：對所述抗蝕劑層進(jìn)行曝光及利用水性顯影液進(jìn)行顯影的步驟步驟5：經(jīng)由經(jīng)顯影的所述抗蝕劑層對所述無機(jī)膜進(jìn)行蝕刻的步驟步驟6：使用由下述組成b所表示的剝離液組合物將所述抗蝕劑層剝離去除的步驟在步驟1中，組成a為如下的硬化性組合物，其含有作為成分A的包含含有具有酸基由酸分解性基保護(hù)的基的構(gòu)成單元a1的聚合體1的聚合體成分、作為成分B的光酸產(chǎn)生劑、作為成分C的分子量為1,000以下的交聯(lián)劑、以及作為成分D的有機(jī)溶劑，成分A在所有聚合體成分中不含具有交聯(lián)性基的構(gòu)成單元a2，或相對于所有聚合體成分中的所有構(gòu)成單元，以5摩爾％以下的比例含有具有交聯(lián)性基的構(gòu)成單元a2，成分C的含量為組合物的所有有機(jī)固體成分中的7質(zhì)量％～30質(zhì)量％，在步驟6中，組成b為如下的剝離液組合物，其含有作為成分I的胺化合物、以及作為成分II的由下述式II-1和/或下述式II-2所表示的化合物，成分I的含量相對于剝離液組合物的總量為5質(zhì)量％～70質(zhì)量％，成分I及由式II-1所表示的化合物的合計含量相對于剝離液組合物的總量為50質(zhì)量％～100質(zhì)量％。[化3]式中，R1～R3分別獨(dú)立地表示氫原子或烷基，R1與R2、或R1與R3可連結(jié)而形成環(huán)，R4表示亞烷基，R5表示氫原子或烷基，n表示1～4的整數(shù)。以下，對所述本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。本發(fā)明的TFT基板的制造方法依次含有以下的(步驟1)～(步驟6)的6個制造步驟作為必需步驟。但是，并不排除在中途含有除此以外的步驟。以下依次對所述必需步驟進(jìn)行說明。(步驟1)使用由下述組成a所表示的硬化性組合物，在具備TFT元件的基板上形成有機(jī)膜層的步驟(由組成a所表示的硬化性組合物)“由組成a所表示的硬化性組合物”是所謂的化學(xué)增幅型的感光性正型硬化性組合物，含有以下的成分A～成分D作為必需成分。作為成分A的包含含有具有酸基由酸分解性基保護(hù)的基的構(gòu)成單元a1的聚合體1的聚合體成分、作為成分B的光酸產(chǎn)生劑作為成分C的分子量為1,000以下的交聯(lián)劑、以及作為成分D的有機(jī)溶劑且在所述硬化性組合物中，成分A在所有聚合體成分中不含具有交聯(lián)性基的構(gòu)成單元a2，或相對于所有聚合體成分中的所有構(gòu)成單元，以5摩爾％以下的比例，優(yōu)選為超過0摩爾％的比例含有具有交聯(lián)性基的構(gòu)成單元a2，成分C的含量為組合物的所有有機(jī)固體成分中的7質(zhì)量％～30質(zhì)量％。以下為便于說明，也如“成分A”般表述“作為成分A的包含含有具有酸基由酸分解性基保護(hù)的基的構(gòu)成單元a1的聚合體1的聚合體成分”，“成分B”、“成分C”、及“成分D”也同樣如此。以下，依次對所述成分A～成分D進(jìn)行說明。雖然本發(fā)明的機(jī)制并不明確，但如以下進(jìn)行推斷。推斷當(dāng)對有機(jī)膜上的無機(jī)膜進(jìn)行蝕刻時，有機(jī)膜中的聚合體成分中的交聯(lián)性基越多，有機(jī)膜與蝕刻抗蝕劑殘渣的相互作用變得越強(qiáng)。推斷若利用剝離液組合物所剝離的蝕刻抗蝕劑的殘渣再附著于有機(jī)膜上，則蝕刻抗蝕劑對于有機(jī)膜的再附著成分未被去除，而產(chǎn)生殘渣。另一方面，若僅單純減少有機(jī)膜中的聚合體成分中的交聯(lián)性基的量，則雖然有機(jī)膜表面的蝕刻抗蝕劑的殘渣變少，但有機(jī)膜本身的耐剝離液性惡化，兩者變成取舍的關(guān)系。因此，推斷通過將固定量的低分子交聯(lián)劑作為交聯(lián)成分來導(dǎo)入，而可使兩個并存。另外，推斷通過規(guī)定本發(fā)明中所使用的剝離液組合物的成分，而可進(jìn)一步改善有機(jī)膜表面的蝕刻抗蝕劑的殘渣與有機(jī)膜的耐剝離液性這兩個。(成分A：包含含有具有酸基由酸分解性基保護(hù)的基的構(gòu)成單元a1的聚合體1的聚合體成分)成分A通過利用曝光所產(chǎn)生的催化劑量的酸性物質(zhì)的作用，其聚合體成分中所含有的聚合體1中的具有酸基由酸分解性基保護(hù)的基的構(gòu)成單元a1受到脫保護(hù)反應(yīng)而成為酸基。通過所述酸基而可進(jìn)行硬化反應(yīng)。以下對構(gòu)成單元a1的優(yōu)選的形態(tài)進(jìn)行說明。(作為成分A的必需成分的含有具有酸基由酸分解性基保護(hù)的基的構(gòu)成單元的聚合體1)本發(fā)明中所使用的硬化性組合物含有聚合體成分，所述聚合體成分包含(成分A)含有具有酸基由酸分解性基保護(hù)的基的構(gòu)成單元的聚合體1作為必需成分。再者，在本發(fā)明中，也將“具有酸基由酸分解性基保護(hù)的基的構(gòu)成單元a1”稱為“(a1)具有酸基由酸分解性基保護(hù)的基的構(gòu)成單元”。本發(fā)明中所使用的硬化性組合物可進(jìn)而包含含有具有酸基由酸分解性基保護(hù)的基的構(gòu)成單元的聚合體1以外的聚合體。本發(fā)明中所使用的硬化性組合物優(yōu)選為包含含有滿足下述(1)及下述(2)的至少一個的聚合體的聚合體成分。(1)含有(a1)具有酸基由酸分解性基保護(hù)的基的構(gòu)成單元、及(a2)具有交聯(lián)性基的構(gòu)成單元的聚合體(2)含有(a1)具有酸基由酸分解性基保護(hù)的基的構(gòu)成單元的聚合體、及含有(a2)具有交聯(lián)性基的構(gòu)成單元的聚合體但是，成分A在所有聚合體成分中不含具有交聯(lián)性基的構(gòu)成單元a2，或相對于所有聚合體成分中所含有的聚合體的所有構(gòu)成單元，以5摩爾％以下的比例，優(yōu)選為超過0摩爾％的比例含有具有交聯(lián)性基的構(gòu)成單元a2。本發(fā)明中所使用的硬化性組合物可進(jìn)而含有這些以外的聚合體。只要無特別敘述，則本發(fā)明中的成分A是指除所述(1)和/或所述(2)以外，還包含視需要而添加的其他聚合體者。成分A優(yōu)選為加成聚合型的樹脂，更優(yōu)選為含有源自(甲基)丙烯酸和/或其酯的構(gòu)成單元的聚合體。再者，也可含有源自(甲基)丙烯酸和/或其酯的構(gòu)成單元以外的構(gòu)成單元，例如源自苯乙烯的構(gòu)成單元、或源自乙烯基化合物的構(gòu)成單元等。再者，也將“源自(甲基)丙烯酸和/或其酯的構(gòu)成單元”稱為“丙烯酸系構(gòu)成單元”。另外，“(甲基)丙烯酸”是指“甲基丙烯酸和/或丙烯酸”。＜構(gòu)成單元(a1)＞成分A包含至少含有(a1)具有酸基由酸分解性基保護(hù)的基的構(gòu)成單元的聚合體1。通過成分A包含含有構(gòu)成單元(a1)的聚合體，而可制成感度極高的化學(xué)增幅型的硬化性組合物。本發(fā)明中的“酸基由酸分解性基保護(hù)的基”可使用作為酸基及酸分解性基所公知的基，并無特別限定。作為具體的酸基，可優(yōu)選地列舉羧基、及酚性羥基。另外，作為酸分解性基，可使用比較容易因酸而分解的基(例如由后述的式(a1-10)所表示的基的酯結(jié)構(gòu)、四氫吡喃基酯基、或四氫呋喃基酯基等縮醛系官能基)、或比較難以因酸而分解的基(例如叔丁酯基等三級烷基、碳酸叔丁酯基等碳酸三級烷基酯基)。(a1)具有酸基由酸分解性基保護(hù)的基的構(gòu)成單元優(yōu)選為具有羧基由酸分解性基保護(hù)的保護(hù)羧基的構(gòu)成單元(也稱為“具有由酸分解性基保護(hù)的保護(hù)羧基的構(gòu)成單元”)、或具有酚性羥基由酸分解性基保護(hù)的保護(hù)酚性羥基的構(gòu)成單元(也稱為“具有由酸分解性基保護(hù)的保護(hù)酚性羥基的構(gòu)成單元”)。以下，依次對具有由酸分解性基保護(hù)的保護(hù)羧基的構(gòu)成單元(a1-1)、及具有由酸分解性基保護(hù)的保護(hù)酚性羥基的構(gòu)成單元(a1-2)分別進(jìn)行說明。＜(a1-1)具有由酸分解性基保護(hù)的保護(hù)羧基的構(gòu)成單元＞所述具有由酸分解性基保護(hù)的保護(hù)羧基的構(gòu)成單元(a1-1)是含有具有羧基的構(gòu)成單元的羧基由以下將詳細(xì)說明的酸分解性基保護(hù)的保護(hù)羧基的構(gòu)成單元。作為可用于所述具有由酸分解性基保護(hù)的保護(hù)羧基的構(gòu)成單元(a1-1)的所述具有羧基的構(gòu)成單元，可無特別限制地使用公知的構(gòu)成單元。例如可列舉：源自不飽和一元羧酸、不飽和二羧酸、不飽和三羧酸等分子中具有至少一個羧基的不飽和羧酸等的構(gòu)成單元(a1-1-1)，或同時具有乙烯性不飽和基與源自酸酐的結(jié)構(gòu)的構(gòu)成單元(a1-1-2)。以下，依次對可用作所述具有羧基的構(gòu)成單元的(a1-1-1)源自分子中具有至少一個羧基的不飽和羧酸等的構(gòu)成單元、及(a1-1-2)同時具有乙烯性不飽和基與源自酸酐的結(jié)構(gòu)的構(gòu)成單元分別進(jìn)行說明。＜(a1-1-1)源自分子中具有至少一個羧基的不飽和羧酸等的構(gòu)成單元＞作為所述源自分子中具有至少一個羧基的不飽和羧酸等的構(gòu)成單元(a1-1-1)，可使用如以下所列舉的不飽和羧酸作為本發(fā)明中所使用的不飽和羧酸。即，作為不飽和一元羧酸，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、α-氯丙烯酸、桂皮酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基丁二酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基六氫鄰苯二甲酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基鄰苯二甲酸等。另外，作為不飽和二羧酸，例如可列舉：順丁烯二酸、反丁烯二酸、衣康酸、檸康酸、中康酸等。另外，用以獲得具有羧基的構(gòu)成單元的不飽和多元羧酸也可為其酸酐。具體而言，可列舉順丁烯二酸酐、衣康酸酐、檸康酸酐等。另外，不飽和多元羧酸也可為多元羧酸的單(2-甲基丙烯酰氧基烷基)酯，例如可列舉：丁二酸單(2-丙烯酰氧基乙基)酯、丁二酸單(2-甲基丙烯酰氧基乙基)酯、鄰苯二甲酸單(2-丙烯酰氧基乙基)酯、鄰苯二甲酸單(2-甲基丙烯酰氧基乙基)酯等。進(jìn)而，不飽和多元羧酸也可為其兩末端二羧基聚合物的單(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉ω-羧基聚己內(nèi)酯單丙烯酸酯、ω-羧基聚己內(nèi)酯單甲基丙烯酸酯等。另外，作為不飽和羧酸，還可使用丙烯酸-2-羧基乙酯、甲基丙烯酸-2-羧基乙酯、順丁烯二酸單烷基酯、反丁烯二酸單烷基酯、4-羧基苯乙烯等。其中，就顯影性的觀點(diǎn)而言，為了形成所述源自分子中具有至少一個羧基的不飽和羧酸等的構(gòu)成單元(a1-1-1)，優(yōu)選為使用丙烯酸、甲基丙烯酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基丁二酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基六氫鄰苯二甲酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基鄰苯二甲酸、或不飽和多元羧酸的酐等，更優(yōu)選為使用丙烯酸、甲基丙烯酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基六氫鄰苯二甲酸。所述源自分子中具有至少一個羧基的不飽和羧酸等的構(gòu)成單元(a1-1-1)可單獨(dú)包含一種，也可包含兩種以上。＜(a1-1-2)同時具有乙烯性不飽和基與源自酸酐的結(jié)構(gòu)的構(gòu)成單元＞同時具有乙烯性不飽和基與源自酸酐的結(jié)構(gòu)的構(gòu)成單元(a1-1-2)優(yōu)選為源自使具有乙烯性不飽和基的構(gòu)成單元中所存在的羥基與酸酐進(jìn)行反應(yīng)而獲得的單體的單元。作為所述酸酐，可使用公知的酸酐，具體而言，可列舉：順丁烯二酸酐、丁二酸酐、衣康酸酐、鄰苯二甲酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、氯菌酸酐等二元酸酐；偏苯三甲酸酐、均苯四甲酸酐、二苯甲酮四羧酸酐、聯(lián)苯四羧酸酐等酸酐。這些之中，就顯影性的觀點(diǎn)而言，優(yōu)選為鄰苯二甲酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、或丁二酸酐。就顯影性的觀點(diǎn)而言，所述酸酐對于羥基的反應(yīng)率優(yōu)選為10摩爾％～100摩爾％，更優(yōu)選為30摩爾％～100摩爾％。-可用于構(gòu)成單元(a1-1)的酸分解性基-作為可用于所述具有由酸分解性基保護(hù)的保護(hù)羧基的構(gòu)成單元(a1-1)的所述酸分解性基，可使用所述酸分解性基。這些酸分解性基之中，就感光性樹脂組合物的基本物性，特別是感度或圖案形狀、接觸孔的形成性、感光性樹脂組合物的保存穩(wěn)定性的觀點(diǎn)而言，優(yōu)選為羧基為由縮醛的形式保護(hù)的保護(hù)羧基。進(jìn)而，酸分解性基之中，就感度的觀點(diǎn)而言，更優(yōu)選為羧基為由以下述式(a1-10)所表示的縮醛的形式保護(hù)的保護(hù)羧基。再者，在羧基為由以下述式(a1-10)所表示的縮醛的形式保護(hù)的保護(hù)羧基的情況下，保護(hù)羧基的整體變成-(C＝O)-O-CR101R102(OR103)的結(jié)構(gòu)。[化4]式(a1-10)中，R101及R102分別獨(dú)立地表示氫原子、烷基或芳基，其中，排除R101與R102均為氫原子的情況。R103表示烷基或芳基。R101或R102與R103可連結(jié)而形成環(huán)狀醚。所述式(a1-10)中，R101～R103分別獨(dú)立地表示氫原子或烷基，所述烷基可為直鏈狀、支鏈狀、環(huán)狀的任一種。此處，不存在R101及R102均表示氫原子的情況，R101及R102的至少一個表示烷基。在所述式(a1-10)中，當(dāng)R101、R102及R103表示烷基時，所述烷基可為直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀的任一種。作為所述直鏈狀或支鏈狀的烷基，優(yōu)選為碳數(shù)1～12，更優(yōu)選為碳數(shù)1～6，進(jìn)而更優(yōu)選為碳數(shù)1～4。具體而言，可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、新戊基、正己基、2,3-二甲基-2-丁基(thexyl)、正庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基、正癸基等。作為所述環(huán)狀烷基，優(yōu)選為碳數(shù)3～12，更優(yōu)選為碳數(shù)4～8，進(jìn)而更優(yōu)選為碳數(shù)4～6。作為所述環(huán)狀烷基，例如可列舉：環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)辛基、降冰片基、異冰片基等。所述烷基也可具有取代基，作為取代基，可例示鹵素原子、芳基、烷氧基。當(dāng)具有鹵素原子作為取代基時，R101、R102、R103成為鹵代烷基，當(dāng)具有芳基作為取代基時，R101、R102、R103成為芳烷基。作為所述鹵素原子，可例示氟原子、氯原子、溴原子、碘原子，這些之中，優(yōu)選為氟原子或氯原子。另外，作為所述芳基，優(yōu)選為碳數(shù)6～20的芳基，更優(yōu)選為碳數(shù)6～12的芳基。具體而言，可例示苯基、α-甲基苯基、萘基等，作為經(jīng)芳基取代的烷基整體，即芳烷基，可例示芐基、α-甲基芐基、苯乙基、萘基甲基等。作為所述烷氧基，優(yōu)選為碳數(shù)1～6的烷氧基，更優(yōu)選為碳數(shù)1～4的烷氧基，進(jìn)而更優(yōu)選為甲氧基或乙氧基。另外，當(dāng)所述烷基為環(huán)烷基時，所述環(huán)烷基可具有碳數(shù)1～10的直鏈狀或支鏈狀的烷基作為取代基，當(dāng)烷基為直鏈狀或支鏈狀的烷基時，可具有碳數(shù)3～12的環(huán)烷基作為取代基。這些取代基也可經(jīng)所述取代基進(jìn)一步取代。所述式(a1-10)中，當(dāng)R101、R102及R103表示芳基時，所述芳基優(yōu)選為碳數(shù)6～12，更優(yōu)選為碳數(shù)6～10。所述芳基可具有取代基，作為所述取代基，可優(yōu)選地例示碳數(shù)1～6的烷基。作為芳基，例如可例示苯基、甲苯基、二甲苯基、枯烯基、1-萘基等。另外，R101、R102及R103可相互鍵結(jié)，并與這些所鍵結(jié)的碳原子一同形成環(huán)。作為R101與R102、R101與R103或R102與R103鍵結(jié)時的環(huán)結(jié)構(gòu)，例如可列舉：環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、四氫呋喃基、金剛烷基及四氫吡喃基等。再者，所述式(a1-10)中，優(yōu)選為R101及R102的任一者為氫原子或甲基。用以形成具有由所述式(a1-10)所表示的保護(hù)羧基的構(gòu)成單元的自由基聚合性單量體可使用市售的自由基聚合性單量體，還可使用通過公知的方法所合成的自由基聚合性單量體。例如，可通過日本專利特開2011-221494號公報的段落0037～段落0040中所記載的合成方法等來合成。所述具有由酸分解性基保護(hù)的保護(hù)羧基的構(gòu)成單元(a1-1)的第一種優(yōu)選的形態(tài)為由下述式所表示的構(gòu)成單元。[化5]式中，R1及R2分別獨(dú)立地表示氫原子、烷基或芳基，至少R1及R2的任一者為烷基或芳基，R3表示烷基或芳基，R1或R2與R3可連結(jié)而形成環(huán)狀醚，R4表示氫原子或甲基，X表示單鍵或亞芳基。當(dāng)R1及R2為烷基時，優(yōu)選為碳數(shù)1～10的烷基。當(dāng)R1及R2為芳基時，優(yōu)選為苯基。R1及R2優(yōu)選為分別獨(dú)立地為氫原子或碳數(shù)1～4的烷基。R3表示烷基或芳基，優(yōu)選為碳數(shù)1～10的烷基，更優(yōu)選為1～6的烷基。X表示單鍵或亞芳基，優(yōu)選為單鍵。所述具有由酸分解性基保護(hù)的保護(hù)羧基的構(gòu)成單元(a1-1)的第二種優(yōu)選的形態(tài)為由下述式所表示的構(gòu)成單元。[化6]式中，R121表示氫原子或碳數(shù)1～4的烷基，L1表示羰基或亞苯基，R122～R128分別獨(dú)立地表示氫原子或碳數(shù)1～4的烷基。R121優(yōu)選為氫原子或甲基。L1優(yōu)選為羰基。R122～R128優(yōu)選為氫原子。作為所述具有由酸分解性基保護(hù)的保護(hù)羧基的構(gòu)成單元(a1-1)的優(yōu)選的具體例，可例示下述的構(gòu)成單元。再者，R表示氫原子或甲基。[化7]＜(a1-2)具有由酸分解性基保護(hù)的保護(hù)酚性羥基的構(gòu)成單元＞所述具有由酸分解性基保護(hù)的保護(hù)酚性羥基的構(gòu)成單元(a1-2)是含有具有酚性羥基的構(gòu)成單元由以下將詳細(xì)說明的酸分解性基保護(hù)的保護(hù)酚性羥基的構(gòu)成單元。＜(a1-2-1)具有酚性羥基的構(gòu)成單元＞作為所述具有酚性羥基的構(gòu)成單元，可列舉羥基苯乙烯系構(gòu)成單元或酚醛清漆系的樹脂中的構(gòu)成單元，這些之中，就感度的觀點(diǎn)而言，優(yōu)選為源自羥基苯乙烯或α-甲基羥基苯乙烯的構(gòu)成單元。另外，作為具有酚性羥基的構(gòu)成單元，就感度的觀點(diǎn)而言，由下述式(a1-20)所表示的構(gòu)成單元也優(yōu)選。[化8]式(a1-20)中，R220表示氫原子或甲基，R221表示單鍵或二價的連結(jié)基，R222表示鹵素原子或碳數(shù)1～5的直鏈或支鏈狀的烷基，a表示1～5的整數(shù)，b表示0～4的整數(shù)，a+b為5以下。再者，當(dāng)存在兩個以上的R222時，這些R222相互可不同，也可相同。所述式(a1-20)中，R220表示氫原子或甲基，優(yōu)選為甲基。另外，R221表示單鍵或二價的連結(jié)基。當(dāng)R221為單鍵時，可提升感度，進(jìn)而可提升硬化膜的透明性，故優(yōu)選。作為R221的二價的連結(jié)基，可例示亞烷基，作為R221為亞烷基的具體例，可列舉：亞甲基、亞乙基、亞丙基、亞異丙基、亞正丁基、亞異丁基、亞叔丁基、亞戊基、亞異戊基、亞新戊基、亞己基等。其中，R221優(yōu)選為單鍵、亞甲基、或亞乙基。另外，所述二價的連結(jié)基可具有取代基，作為取代基，可列舉鹵素原子、羥基、烷氧基等。另外，a表示1～5的整數(shù)，但就本發(fā)明的效果的觀點(diǎn)、或容易制造這一點(diǎn)而言，優(yōu)選為a為1或2，更優(yōu)選為a為1。另外，當(dāng)將與R221進(jìn)行鍵結(jié)的碳原子作為基準(zhǔn)(1位)時，苯環(huán)中的羥基的鍵結(jié)位置優(yōu)選為鍵結(jié)于4位上。R222分別獨(dú)立地表示鹵素原子或者碳數(shù)1～5的直鏈或支鏈狀的烷基。具體而言，可列舉：氟原子、氯原子、溴原子、甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、戊基、異戊基、新戊基等。其中，就容易制造這一點(diǎn)而言，優(yōu)選為氯原子、溴原子、甲基或乙基。另外，b表示0或1～4的整數(shù)。-可用于構(gòu)成單元(a1-2)的酸分解性基-作為可用于所述具有由酸分解性基保護(hù)的保護(hù)酚性羥基的構(gòu)成單元(a1-2)的所述酸分解性基，與可用于所述具有由酸分解性基保護(hù)的保護(hù)羧基的構(gòu)成單元(a1-1)的所述酸分解性基同樣地，可使用公知的酸分解性基，并無特別限定。酸分解性基之中，就硬化性組合物的基本物性，特別是感度或圖案形狀、硬化性組合物的保存穩(wěn)定性、接觸孔的形成性的觀點(diǎn)而言，優(yōu)選為具有由縮醛保護(hù)的保護(hù)酚性羥基的構(gòu)成單元。進(jìn)而，酸分解性基之中，就感度的觀點(diǎn)而言，更優(yōu)選為酚性羥基為由以所述式(a1-10)所表示的縮醛的形式保護(hù)的保護(hù)酚性羥基。再者，在酚性羥基為由以所述式(a1-10)所表示的縮醛的形式保護(hù)的保護(hù)酚性羥基的情況下，保護(hù)酚性羥基的整體變成-Ar-O-CR101R102(OR103)的結(jié)構(gòu)。再者，Ar表示亞芳基。酚性羥基的縮醛酯結(jié)構(gòu)的優(yōu)選例可例示R101＝R102＝R103＝甲基的組合、或R101＝R102＝甲基且R103＝芐基的組合、及R101＝H且R102＝甲基且R103＝乙基的組合。另外，作為用以形成具有酚性羥基由縮醛的形式保護(hù)的保護(hù)酚性羥基的構(gòu)成單元的自由基聚合性單量體，例如可列舉日本專利特開2011-215590號公報的段落0042中所記載的自由基聚合性單量體等。這些之中，就透明性的觀點(diǎn)而言，優(yōu)選為甲基丙烯酸4-羥基苯酯的1-烷氧基烷基保護(hù)體、甲基丙烯酸4-羥基苯酯的四氫吡喃基保護(hù)體。作為酚性羥基的縮醛保護(hù)基的具體例，可列舉1-烷氧基烷基，例如可列舉1-乙氧基乙基、1-甲氧基乙基、1-正丁氧基乙基、1-異丁氧基乙基、1-(2-氯乙氧基)乙基、1-(2-乙基己氧基)乙基、1-正丙氧基乙基、1-環(huán)己氧基乙基、1-(2-環(huán)己基乙氧基)乙基、1-芐氧基乙基等，這些基可單獨(dú)使用一種、或?qū)煞N以上組合使用。用以形成所述具有由酸分解性基保護(hù)的保護(hù)酚性羥基的構(gòu)成單元(a1-2)的自由基聚合性單量體可使用市售的自由基聚合性單量體，還可使用通過公知的方法所合成的自由基聚合性單量體。例如，可通過在酸催化劑的存在下使具有酚性羥基的化合物與乙烯基醚進(jìn)行反應(yīng)來合成。所述合成也可事先使具有酚性羥基的單體與其他單體進(jìn)行共聚，然后在酸催化劑的存在下與乙烯基醚進(jìn)行反應(yīng)。作為所述具有由酸分解性基保護(hù)的保護(hù)酚性羥基的構(gòu)成單元(a1-2)的優(yōu)選的具體例，可例示下述的構(gòu)成單元，但本發(fā)明并不限定于這些構(gòu)成單元。下述具體例中，R表示氫原子或甲基。[化9]-構(gòu)成單元(a1)的優(yōu)選的形態(tài)-當(dāng)含有所述構(gòu)成單元(a1)的聚合體實(shí)質(zhì)上不含構(gòu)成單元(a2)時，在含有所述構(gòu)成單元(a1)的聚合體中，構(gòu)成單元(a1)優(yōu)選為20摩爾％～100摩爾％，更優(yōu)選為30摩爾％～90摩爾％。當(dāng)含有所述構(gòu)成單元(a1)的聚合體含有下述構(gòu)成單元(a2)時，就感度的觀點(diǎn)而言，在含有所述構(gòu)成單元(a1)與構(gòu)成單元(a2)的聚合體中，構(gòu)成單元(a1)優(yōu)選為3摩爾％～70摩爾％，更優(yōu)選為10摩爾％～60摩爾％。另外，尤其在所述構(gòu)成單元(a1)為含有羧基由縮醛的形式保護(hù)的保護(hù)羧基的構(gòu)成單元的情況下，優(yōu)選為20摩爾％～50摩爾％。再者，在本發(fā)明中，當(dāng)以摩爾比來規(guī)定“構(gòu)成單元”的含量時，所述“構(gòu)成單元”的含義與“單體單元”相同。另外，在本發(fā)明中，所述“單體單元”可通過高分子反應(yīng)等而在聚合后進(jìn)行修飾。以下也同樣如此。與所述具有由酸分解性基保護(hù)的保護(hù)酚性羥基的構(gòu)成單元(a1-2)相比，所述具有由酸分解性基保護(hù)的保護(hù)羧基的構(gòu)成單元(a1-1)具有顯影快這一特征。因此，在欲快速顯影的情況下，優(yōu)選為具有由酸分解性基保護(hù)的保護(hù)羧基的構(gòu)成單元(a1-1)。相反地，在欲使顯影變慢的情況下，優(yōu)選為使用具有由酸分解性基保護(hù)的保護(hù)酚性羥基的構(gòu)成單元(a1-2)。＜(a2)具有交聯(lián)性基的構(gòu)成單元＞成分A中的聚合體1也可為含有具有交聯(lián)性基的構(gòu)成單元(a2)的聚合體。所述交聯(lián)性基只要是通過加熱處理而引起硬化反應(yīng)的基，則并無特別限定。作為優(yōu)選的具有交聯(lián)性基的構(gòu)成單元的形態(tài)，可列舉含有選自由環(huán)氧基、氧雜環(huán)丁基、由-NH-CH2-O-R(R表示氫原子或碳數(shù)1～20的烷基)所表示的基、及乙烯性不飽和基所組成的群組中的至少一個的構(gòu)成單元，優(yōu)選為選自由環(huán)氧基、及氧雜環(huán)丁基所組成的群組中的至少一種。其中，本發(fā)明中所使用的硬化性組合物更優(yōu)選為所述聚合體1含有包含環(huán)氧基的構(gòu)成單元。更詳細(xì)而言，可列舉以下者。＜(a2-1)具有環(huán)氧基和/或氧雜環(huán)丁基的構(gòu)成單元＞成分A優(yōu)選為包含含有具有環(huán)氧基和/或氧雜環(huán)丁基的構(gòu)成單元(構(gòu)成單元(a2-1))的聚合體。所述3員環(huán)的環(huán)狀醚基也被稱為環(huán)氧基，4員環(huán)的環(huán)狀醚基也被稱為氧雜環(huán)丁基。所述具有環(huán)氧基和/或氧雜環(huán)丁基的構(gòu)成單元(a2-1)只要一個構(gòu)成單元中具有至少一個環(huán)氧基或氧雜環(huán)丁基即可，可具有一個以上的環(huán)氧基及一個以上氧雜環(huán)丁基、兩個以上的環(huán)氧基、或兩個以上的氧雜環(huán)丁基，并無特別限定，但優(yōu)選為具有合計為一個～三個的環(huán)氧基和/或氧雜環(huán)丁基，更優(yōu)選為具有合計為一個或兩個的環(huán)氧基和/或氧雜環(huán)丁基，進(jìn)而更優(yōu)選為具有一個環(huán)氧基或氧雜環(huán)丁基。作為用以形成具有環(huán)氧基的構(gòu)成單元的自由基聚合性單量體的具體例，例如可列舉丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、α-乙基丙烯酸縮水甘油酯、α-正丙基丙烯酸縮水甘油酯、α-正丁基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸-3,4-環(huán)氧基丁酯、甲基丙烯酸-3,4-環(huán)氧基丁酯、丙烯酸-3,4-環(huán)氧環(huán)己基甲酯、甲基丙烯酸-3,4-環(huán)氧環(huán)己基甲酯、α-乙基丙烯酸-3,4-環(huán)氧環(huán)己基甲酯、鄰乙烯基芐基縮水甘油醚、間乙烯基芐基縮水甘油醚、對乙烯基芐基縮水甘油醚、日本專利第4168443號公報的段落0031～段落0035中所記載的含有脂環(huán)式環(huán)氧基骨架的化合物等。作為用以形成具有氧雜環(huán)丁基的構(gòu)成單元的自由基聚合性單量體的具體例，例如可列舉日本專利特開2001-330953號公報的段落0011～段落0016中所記載的具有氧雜環(huán)丁基的(甲基)丙烯酸酯等。作為用以形成所述具有環(huán)氧基和/或氧雜環(huán)丁基的構(gòu)成單元(a2-1)的自由基聚合性單量體的具體例，優(yōu)選為含有甲基丙烯酸酯結(jié)構(gòu)的單體、含有丙烯酸酯結(jié)構(gòu)的單體。這些之中，優(yōu)選為甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸3,4-環(huán)氧環(huán)己基甲酯、甲基丙烯酸3,4-環(huán)氧環(huán)己基甲酯、丙烯酸(3-乙基氧雜環(huán)丁烷-3-基)甲酯、及甲基丙烯酸(3-乙基氧雜環(huán)丁烷-3-基)甲酯。這些構(gòu)成單元可單獨(dú)使用一種、或?qū)煞N以上組合使用。作為具有環(huán)氧基和/或氧雜環(huán)丁基的構(gòu)成單元(a2-1)的優(yōu)選的具體例，可例示下述的構(gòu)成單元。再者，R表示氫原子或甲基。[化10]＜(a2-2)具有乙烯性不飽和基的構(gòu)成單元＞作為所述具有交聯(lián)性基的構(gòu)成單元(a2)的一種，可列舉具有乙烯性不飽和基的構(gòu)成單元(a2-2)(以下，也稱為“構(gòu)成單元(a2-2)”)。作為所述具有乙烯性不飽和基的構(gòu)成單元(a2-2)，優(yōu)選為在側(cè)鏈上具有乙烯性不飽和基的構(gòu)成單元，更優(yōu)選為在末端具有乙烯性不飽和基、且具有碳數(shù)3～16的側(cè)鏈的構(gòu)成單元，進(jìn)而更優(yōu)選為具有由下述式(a2-2-1)所表示的側(cè)鏈的構(gòu)成單元。[化11]式(a2-2-1)中，R301表示碳數(shù)1～13的二價的連結(jié)基，R302表示氫原子或甲基，波狀線部分表示與具有交聯(lián)性基的構(gòu)成單元(a2)的主鏈連結(jié)的部位。R301為碳數(shù)1～13的二價的連結(jié)基，包含烯基、環(huán)烯基、亞芳基或?qū)⑦@些組合而成的基，也可含有酯鍵、醚鍵、酰胺鍵、氨基甲酸酯鍵等鍵。另外，二價的連結(jié)基可在任意的位置上具有羥基、羧基等取代基。作為R301的具體例，可列舉下述的二價的連結(jié)基。[化12]由所述式(a2-2-1)所表示的側(cè)鏈之中，包含由所述R301所表示的二價的連結(jié)基，優(yōu)選為脂肪族的側(cè)鏈。此外，關(guān)于(a2-2)具有乙烯性不飽和基的構(gòu)成單元，可參考日本專利特開2011-215580號公報的段落0072～段落0090的記載。＜(a2-3)具有由-NH-CH2-O-R(R表示氫原子或碳數(shù)1～20的烷基)所表示的基的構(gòu)成單元＞本發(fā)明中所使用的共聚物也優(yōu)選為具有由-NH-CH2-O-R(R表示氫原子或碳數(shù)1～20的烷基)所表示的基的構(gòu)成單元(a2-3)。通過含有構(gòu)成單元(a2-3)，可利用緩和的加熱處理引起硬化反應(yīng)，而可獲得各種特性優(yōu)異的硬化膜。此處，R優(yōu)選為碳數(shù)1～20的烷基，更優(yōu)選為碳數(shù)1～9的烷基，進(jìn)而更優(yōu)選為碳數(shù)1～4的烷基。另外，烷基可為直鏈、分支或環(huán)狀的烷基的任一種，但優(yōu)選為直鏈或分支的烷基。構(gòu)成單元(a2)更優(yōu)選為具有由下述式(a2-30)所表示的基的構(gòu)成單元。[化13]式(a2-30)中，R31表示氫原子或甲基，R32表示碳數(shù)1～20的烷基。R32優(yōu)選為碳數(shù)1～9的烷基，進(jìn)而更優(yōu)選為碳數(shù)1～4的烷基。另外，烷基可為直鏈、分支或環(huán)狀的烷基的任一種，但優(yōu)選為直鏈或分支的烷基。作為R32的具體例，可列舉：甲基、乙基、正丁基、異丁基、環(huán)己基、及正己基。其中，優(yōu)選為異丁基、正丁基、甲基。-構(gòu)成單元(a2)的優(yōu)選的形態(tài)-作為成分A，在所有聚合體成分中不含所述具有交聯(lián)性基的構(gòu)成單元(a2)，或相對于所有聚合體成分中的所有構(gòu)成單元，僅以5摩爾％以下的比例，優(yōu)選為超過0摩爾％的比例含有所述具有交聯(lián)性基的構(gòu)成單元(a2)。若為所述數(shù)值的范圍內(nèi)，則通過與特定的剝離液組合物的組合而抑制蝕刻抗蝕劑殘渣的產(chǎn)生。＜(a3)其他構(gòu)成單元＞在本發(fā)明中，成分A中的聚合體1除所述構(gòu)成單元(a1)和/或構(gòu)成單元(a2)以外，也可含有這些以外的其他構(gòu)成單元(a3)。所述聚合體成分(1)和/或聚合體成分(2)可含有這些構(gòu)成單元。另外，不同于所述聚合體成分(1)或聚合體成分(2)，也可具有實(shí)質(zhì)上不含構(gòu)成單元(a1)及構(gòu)成單元(a2)而含有其他構(gòu)成單元(a3)的聚合體成分。作為成為其他構(gòu)成單元(a3)的單體，并無特別限制，例如可列舉：苯乙烯類、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環(huán)狀烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯、不飽和二羧酸二酯、雙環(huán)不飽和化合物類、順丁烯二酰亞胺化合物類、不飽和芳香族化合物、共軛二烯系化合物、不飽和一元羧酸、不飽和二羧酸、不飽和二羧酸酐、其他不飽和化合物。另外，如后述般，也可含有具有酸基的構(gòu)成單元。成為其他構(gòu)成單元(a3)的單體可單獨(dú)使用一種、或?qū)煞N以上組合使用。具體而言，構(gòu)成單元(a3)可列舉由以下化合物等形成的構(gòu)成單元：苯乙烯、叔丁氧基苯乙烯、甲基苯乙烯、羥基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙酰氧基苯乙烯、甲氧基苯乙烯、乙氧基苯乙烯、氯苯乙烯、乙烯基苯甲酸甲酯、乙烯基苯甲酸乙酯、4-羥基苯甲酸(3-甲基丙烯酰氧基丙基)酯、(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸芐酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、丙烯腈、乙二醇單乙酰乙酸酯單(甲基)丙烯酸酯。除此以外，可列舉日本專利特開2004-264623號公報的段落0021～段落0024中所記載的化合物。另外，作為其他構(gòu)成單元(a3)，就電特性的觀點(diǎn)而言，優(yōu)選為源自苯乙烯類、或具有脂肪族環(huán)式骨架的單體的構(gòu)成單元。具體而言，可列舉：苯乙烯、叔丁氧基苯乙烯、甲基苯乙烯、羥基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、(甲基)丙烯酸二環(huán)戊酯、(甲基)丙烯酸環(huán)己酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸芐酯等。進(jìn)而，作為其他構(gòu)成單元(a3)，就密接性的觀點(diǎn)而言，優(yōu)選為源自(甲基)丙烯酸烷基酯的構(gòu)成單元。具體而言，可列舉(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯等，更優(yōu)選為(甲基)丙烯酸甲酯。構(gòu)成聚合體的構(gòu)成單元中，所述構(gòu)成單元(a3)的含有率優(yōu)選為60摩爾％以下，更優(yōu)選為50摩爾％以下，進(jìn)而更優(yōu)選為40摩爾％以下。作為下限值，可為0摩爾％，但例如優(yōu)選為設(shè)為1摩爾％以上，更優(yōu)選為設(shè)為5摩爾％以上。若為所述數(shù)值的范圍內(nèi)，則由硬化性組合物所獲得的硬化膜的各種特性變得良好。成分A中所含有的聚合體優(yōu)選為含有具有酸基的構(gòu)成單元作為其他構(gòu)成單元(a3)。聚合體通過具有酸基，而容易溶解于堿性的顯影液中，本發(fā)明的效果得以更有效地發(fā)揮。本發(fā)明中的酸基是指pKa小于10.5的質(zhì)子解離性基。通常，使用可形成酸基的單體作為具有酸基的構(gòu)成單元，而將酸基導(dǎo)入至聚合體中。通過在聚合體中含有此種具有酸基的構(gòu)成單元，而存在容易溶解于堿性的顯影液中的傾向。作為本發(fā)明中所使用的酸基，可例示羧酸基、磺酰胺基、膦酸基、磺酸基、酚性羥基、磺酰胺基、磺酰基酰亞胺基、及這些酸基的酸酐基、以及將這些酸基加以中和而形成鹽結(jié)構(gòu)的基等，優(yōu)選為至少具有羧酸基和/或酚性羥基。作為所述鹽，并無特別限制，可優(yōu)選地例示堿金屬鹽、堿土金屬鹽、及有機(jī)銨鹽。本發(fā)明中所使用的具有酸基的構(gòu)成單元更優(yōu)選為源自苯乙烯化合物的構(gòu)成單元、或源自乙烯基化合物的構(gòu)成單元、源自(甲基)丙烯酸和/或其酯的構(gòu)成單元。在本發(fā)明中，就感度的觀點(diǎn)而言，特別優(yōu)選為含有具有羧基的構(gòu)成單元、或具有酚性羥基的構(gòu)成單元。具有酸基的構(gòu)成單元的含量優(yōu)選為所有聚合體成分的構(gòu)成單元的1摩爾％～80摩爾％，更優(yōu)選為1摩爾％～50摩爾％，進(jìn)而更優(yōu)選為5摩爾％～40摩爾％，特別優(yōu)選為5摩爾％～30摩爾％，最優(yōu)選為5摩爾％～20摩爾％。在本發(fā)明中，有別于所述聚合體1，也可包含實(shí)質(zhì)上不含構(gòu)成單元(a1)及構(gòu)成單元(a2)而含有其他構(gòu)成單元(a3)的聚合體。作為此種聚合體，優(yōu)選為在側(cè)鏈上具有羧基的樹脂。例如可列舉如日本專利特開昭59-44615號、日本專利特公昭54-34327號、日本專利特公昭58-12577號、日本專利特公昭54-25957號、日本專利特開昭59-53836號、日本專利特開昭59-71048號的各公報中所記載般的甲基丙烯酸共聚物、丙烯酸共聚物、衣康酸共聚物、巴豆酸共聚物、順丁烯二酸共聚物、部分酯化順丁烯二酸共聚物等、以及在側(cè)鏈上具有羧基的酸性纖維素衍生物、在具有羥基的聚合物中加成酸酐而成者等，進(jìn)而還可列舉在側(cè)鏈上具有(甲基)丙烯?；母叻肿泳酆象w作為優(yōu)選者。例如可列舉：(甲基)丙烯酸芐酯/(甲基)丙烯酸共聚物、(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯/(甲基)丙烯酸芐酯/(甲基)丙烯酸共聚物、日本專利特開平7-140654號公報中所記載的(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯/聚苯乙烯大分子單體/甲基丙烯酸芐酯/甲基丙烯酸共聚物、丙烯酸-2-羥基-3-苯氧基丙酯/聚甲基丙烯酸甲酯大分子單體/甲基丙烯酸芐酯/甲基丙烯酸共聚物、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯/聚苯乙烯大分子單體/甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸共聚物、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯/聚苯乙烯大分子單體/甲基丙烯酸芐酯/甲基丙烯酸共聚物等。除此以外，還可使用日本專利特開平7-207211號公報、日本專利特開平8-259876號公報、日本專利特開平10-300922號公報、日本專利特開平11-140144號公報、日本專利特開平11-174224號公報、日本專利特開2000-56118號公報、日本專利特開2003-233179號公報、日本專利特開2009-52020號公報等中所記載的公知的高分子化合物。這些聚合體可僅含有一種，也可含有兩種以上。作為這些聚合體，還可使用市售的SMA1000P、SMA2000P、SMA3000P、SMA1440F、SMA17352P、SMA2625P、SMA3840F(以上，沙多瑪(Sartomer)公司制造)，阿魯方(ARUFON)UC-3000、阿魯方(ARUFON)UC-3510、阿魯方(ARUFON)UC-3900、阿魯方(ARUFON)UC-3910、阿魯方(ARUFON)UC-3920、阿魯方(ARUFON)UC-3080(以上，東亞合成(股份)制造)，莊克力(JONCRYL)690、莊克力(JONCRYL)678、莊克力(JONCRYL)67、莊克力(JONCRYL)586(以上，巴斯夫(BASF)公司制造)等。-成分A中的聚合體1的分子量-成分A中的聚合體1的分子量以聚苯乙烯換算重量平均分子量計，優(yōu)選為1,000～200,000，更優(yōu)選為2,000～50,000的范圍。若為所述數(shù)值的范圍內(nèi)，則各種特性良好。數(shù)量平均分子量Mn與重量平均分子量Mw的比(分散度，Mw/Mn)優(yōu)選為1.0～5.0，更優(yōu)選為1.5～3.5。-成分A中的聚合體1的制造方法-另外，關(guān)于成分A中的聚合體1的合成法，也已知有各種方法，若列舉一例，則可通過使用自由基聚合引發(fā)劑，使至少含有用以形成所述構(gòu)成單元(a1)及所述構(gòu)成單元(a3)的自由基聚合性單量體的自由基聚合性單量體混合物在有機(jī)溶劑中進(jìn)行聚合來合成。另外，還可通過所謂的高分子反應(yīng)來合成。相對于硬化性組合物的所有有機(jī)固體成分，本發(fā)明中所使用的硬化性組合物中的成分A的含量優(yōu)選為20質(zhì)量％～95質(zhì)量％，更優(yōu)選為50質(zhì)量％～90質(zhì)量％，進(jìn)而更優(yōu)選為55質(zhì)量％～85質(zhì)量％。若含量為所述范圍，則可獲得硬化性良好的有機(jī)膜。(成分B：光酸產(chǎn)生劑)本發(fā)明中所使用的硬化性組合物含有(成分B)光酸產(chǎn)生劑。作為本發(fā)明中所使用的光酸產(chǎn)生劑，優(yōu)選為感應(yīng)波長為300nm以上，優(yōu)選為波長為300nm～450nm的光化射線而產(chǎn)生酸的化合物，但不受其化學(xué)結(jié)構(gòu)限制。另外，關(guān)于不直接感應(yīng)波長為300nm以上的光化射線的光酸產(chǎn)生劑，若為通過與增感劑并用來感應(yīng)波長為300nm以上的光化射線而產(chǎn)生酸的化合物，則也可與增感劑組合后優(yōu)選地使用。作為本發(fā)明中所使用的光酸產(chǎn)生劑，優(yōu)選為產(chǎn)生pKa為4以下的酸的光酸產(chǎn)生劑，更優(yōu)選為產(chǎn)生pKa為3以下的酸的光酸產(chǎn)生劑，最優(yōu)選為產(chǎn)生pKa為2以下的酸的光酸產(chǎn)生劑。作為光酸產(chǎn)生劑的例子，可列舉：三氯甲基-均三嗪類、锍鹽或錪鹽等鎓鹽化合物、四級銨鹽類、重氮甲烷化合物、酰亞胺磺酸酯化合物、及肟磺酸酯化合物等。這些之中，就感度的觀點(diǎn)而言，優(yōu)選為使用選自由肟磺酸酯化合物、酰亞胺磺酸酯化合物及鎓鹽化合物所組成的群組中的至少一種化合物，更優(yōu)選為使用肟磺酸酯化合物。這些光酸產(chǎn)生劑可單獨(dú)使用一種、或?qū)煞N以上組合使用。作為三氯甲基-均三嗪類、二芳基錪鹽類、三芳基锍鹽類、四級銨鹽類、及重氮甲烷衍生物的具體例，可例示日本專利特開2011-221494號公報的段落0083～段落0088中所記載的化合物。作為肟磺酸酯化合物，即具有肟磺酸酯結(jié)構(gòu)的化合物，可優(yōu)選地例示含有由下述式(B1)所表示的肟磺酸酯結(jié)構(gòu)的化合物。[化14]式(B1)中，R21表示烷基或芳基，波狀線部分表示與其他基的鍵結(jié)部位。任何基均可被取代，R21中的烷基可為直鏈狀，也可為分支狀，也可為環(huán)狀。以下說明所容許的取代基。作為R21的烷基，優(yōu)選為碳數(shù)1～10的直鏈狀烷基或分支狀烷基。R21的烷基可經(jīng)碳數(shù)6～11的芳基、碳數(shù)1～10的烷氧基、或環(huán)烷基(包含7,7-二甲基-2-氧代降冰片基等橋環(huán)式脂環(huán)基，優(yōu)選為雙環(huán)烷基等)取代。作為R21的芳基，優(yōu)選為碳數(shù)6～11的芳基，更優(yōu)選為苯基或萘基。R21的芳基可經(jīng)碳數(shù)1～10的烷基、碳數(shù)1～10的烷氧基或鹵素原子取代。含有由所述式(B1)所表示的肟磺酸酯結(jié)構(gòu)的所述化合物為由下述式(B2)所表示的肟磺酸酯化合物也優(yōu)選。[化15]式(B2)中，R42表示烷基或芳基，X表示烷基、烷氧基或鹵素原子，m4表示0～3的整數(shù)，當(dāng)m4為2或3時，多個X可相同，也可同。作為X的烷基優(yōu)選為碳數(shù)1～4的直鏈狀烷基或分支狀烷基。作為X的烷氧基優(yōu)選為碳數(shù)1～4的直鏈狀烷氧基或分支狀烷氧基。作為X的鹵素原子優(yōu)選為氯原子或氟原子。m4優(yōu)選為0或1。所述式(E2)中，特別優(yōu)選為m4為1，X為甲基，X的取代位置為鄰位，R42為碳數(shù)1～10的直鏈狀烷基、7,7-二甲基-2-氧代降冰片基甲基、或?qū)妆郊柞；幕衔?。含有由所述?B1)所表示的肟磺酸酯結(jié)構(gòu)的化合物為由下述式(B3)所表示的肟磺酸酯化合物也優(yōu)選。[化16]式(B3)中，R43的含義與式(B2)中的R42相同，X1表示鹵素原子、羥基、碳數(shù)1～4的烷基、碳數(shù)1～4的烷氧基、氰基或硝基，n4表示0～5的整數(shù)。作為所述式(B3)中的R43，優(yōu)選為甲基、乙基、正丙基、正丁基、正辛基、三氟甲基、五氟乙基、全氟-正丙基、全氟-正丁基、對甲苯基、4-氯苯基或五氟苯基，特別優(yōu)選為正辛基。X1優(yōu)選為碳數(shù)1～5的烷氧基，更優(yōu)選為甲氧基。n4優(yōu)選為0～2的整數(shù)，特別優(yōu)選為0或1。作為由所述式(B3)所表示的化合物的具體例，可列舉：α-(甲基磺酰氧基亞氨基)芐基氰、α-(乙基磺酰氧基亞氨基)芐基氰、α-(正丙基磺酰氧基亞氨基)芐基氰、α-(正丁基磺酰氧基亞氨基)芐基氰、α-(4-甲苯磺酰氧基亞氨基)芐基氰、α-[(甲基磺酰氧基亞氨基)-4-甲氧基苯基]乙腈、α-[(乙基磺酰氧基亞氨基)-4-甲氧基苯基]乙腈、α-[(正丙基磺酰氧基亞氨基)-4-甲氧基苯基]乙腈、α-[(正丁基磺酰氧基亞氨基)-4-甲氧基苯基]乙腈、α-[(4-甲苯磺酰氧基亞氨基)-4-甲氧基苯基]乙腈。作為優(yōu)選的肟磺酸酯化合物的具體例，可列舉下述化合物(i)～化合物(viii)等，這些化合物可單獨(dú)使用一種、或并用兩種以上?；衔?i)～化合物(viii)可作為市售品而獲得。另外，還可與其他種類的(成分B)光酸產(chǎn)生劑組合使用。[化17]作為含有由所述式(B1)所表示的肟磺酸酯結(jié)構(gòu)的化合物，由下述式(OS-1)所表示的化合物也優(yōu)選。[化18]所述式(OS-1)中，R101表示氫原子、烷基、烯基、烷氧基、烷氧基羰基、?；奔柞；?、氨磺酰基、磺基、氰基、芳基、或雜芳基。R102表示烷基、或芳基。X101表示-O-、-S-、-NH-、-NR105-、-CH2-、-CR106H-、或-CR105R107-，R105～R107表示烷基、或芳基。R121～R124分別獨(dú)立地表示氫原子、鹵素原子、烷基、烯基、烷氧基、氨基、烷氧基羰基、烷基羰基、芳基羰基、酰胺基、磺基、氰基、或芳基。R121～R124中的兩個可分別相互鍵結(jié)而形成環(huán)。作為R121～R124，優(yōu)選為分別獨(dú)立地為氫原子、鹵素原子、或烷基，且，還可優(yōu)選地列舉R121～R124中的至少兩個相互鍵結(jié)而形成芳基的形態(tài)。其中，就感度的觀點(diǎn)而言，優(yōu)選為R121～R124均為氫原子的形態(tài)。已述的官能基均可進(jìn)一步具有取代基。由所述式(OS-1)所表示的化合物更優(yōu)選為由下述式(OS-2)所表示的化合物。[化19]所述式(OS-2)中，R101、R102、R121～R124的含義分別與式(OS-1)中的R101、R102、R121～R124相同，且，優(yōu)選例也相同。這些之中，更優(yōu)選為所述式(OS-1)及所述式(OS-2)中的R101為氰基、或芳基的形態(tài)，最優(yōu)選為由所述式(OS-2)表示，且R101為氰基、苯基或萘基的形態(tài)。另外，在本發(fā)明中的肟磺酸酯化合物中，關(guān)于肟或苯并噻唑環(huán)的立體結(jié)構(gòu)(E、Z等)，分別可為任一種立體結(jié)構(gòu)，也可為混合物。作為可適宜地用于本發(fā)明的由所述式(OS-1)所表示的化合物的具體例，可列舉日本專利特開2011-221494號公報的段落0128～段落0132中所記載的化合物(例示化合物b-1～例示化合物b-34)，但本發(fā)明并不限定于此。在本發(fā)明中，作為含有由所述式(B1)所表示的肟磺酸酯結(jié)構(gòu)的化合物，優(yōu)選為由下述式(OS-3)、下述式(OS-4)或下述式(OS-5)所表示的肟磺酸酯化合物。[化20]式(OS-3)～式(OS-5)中，R22、R25及R28分別獨(dú)立地表示烷基、芳基或雜芳基，R23、R26及R29分別獨(dú)立地表示氫原子、烷基、芳基或鹵素原子，R24、R27及R30分別獨(dú)立地表示鹵素原子、烷基、烷氧基、磺酸基、氨基磺?；蛲檠趸酋；琗1～X3分別獨(dú)立地表示氧原子或硫原子，n1～n3分別獨(dú)立地表示1或2，m1～m3分別獨(dú)立地表示0～6的整數(shù)。所述式(OS-3)～式(OS-5)中，R22、R25及R28中的烷基、芳基或雜芳基可具有取代基。所述式(OS-3)～式(OS-5)中，作為R22、R25及R28中的烷基，優(yōu)選為可具有取代基的總碳數(shù)1～30的烷基。另外，所述式(OS-3)～式(OS-5)中，作為R22、R25及R28中的芳基，優(yōu)選為可具有取代基的總碳數(shù)6～30的芳基。另外，所述式(OS-3)～式(OS-5)中，作為R22、R25及R28中的雜芳基，優(yōu)選為可具有取代基的總碳數(shù)4～30的雜芳基。所述式(OS-3)～式(OS-5)中，R22、R25及R28中的雜芳基只要至少一個環(huán)為雜芳香環(huán)即可，例如雜芳香環(huán)與苯環(huán)也可進(jìn)行縮環(huán)。所述式(OS-3)～式(OS-5)中，R23、R26及R29優(yōu)選為氫原子、烷基或芳基，更優(yōu)選為氫原子或烷基。所述式(OS-3)～式(OS-5)中，優(yōu)選為在化合物中存在兩個以上的R23、R26及R29中的一個或兩個為烷基、芳基或鹵素原子，更優(yōu)選為一個為烷基、芳基或鹵素原子，特別優(yōu)選為一個為烷基、且剩余為氫原子。作為R23、R26及R29中的烷基，優(yōu)選為可具有取代基的總碳數(shù)1～12的烷基，更優(yōu)選為可具有取代基的總碳數(shù)1～6的烷基。作為R23、R26及R29中的芳基，優(yōu)選為可具有取代基的總碳數(shù)6～30的芳基。所述式(OS-3)～式(OS-5)中，X1～X3分別獨(dú)立地表示O或S，優(yōu)選為O。所述式(OS-3)～式(OS-5)中，含有X1～X3作為環(huán)員的環(huán)為5員環(huán)或6員環(huán)。所述式(OS-3)～式(OS-5)中，n1～n3分別獨(dú)立地表示1或2，當(dāng)X1～X3為O時，n1～n3優(yōu)選為分別獨(dú)立地為1，且，當(dāng)X1～X3為S時，n1～n3優(yōu)選為分別獨(dú)立地為2。所述式(OS-3)～式(OS-5)中，R24、R27及R30分別獨(dú)立地表示鹵素原子、烷基、烷氧基、磺酸基、氨基磺?；蛲檠趸酋；?。其中，優(yōu)選為R24、R27及R30分別獨(dú)立地為烷基或烷氧基。R24、R27及R30中的烷基、烷氧基、磺酸基、氨基磺?；巴檠趸酋；删哂腥〈?。所述式(OS-3)～式(OS-5)中，作為R24、R27及R30中的烷基，優(yōu)選為可具有取代基的總碳數(shù)1～30的烷基。所述式(OS-3)～式(OS-5)中，作為R24、R27及R30中的烷氧基，優(yōu)選為可具有取代基的總碳數(shù)1～30的烷氧基。另外，所述式(OS-3)～式(OS-5)中，m1～m3分別獨(dú)立地表示0～6的整數(shù)，優(yōu)選為0～2的整數(shù)，更優(yōu)選為0或1，特別優(yōu)選為0。另外，關(guān)于所述式(OS-3)～式(OS-5)的各個取代基，日本專利特開2011-221494號公報的段落0092～段落0109中所記載的(OS-3)～(OS-5)的取代基的優(yōu)選的范圍也同樣優(yōu)選。另外，含有由所述式(B1)所表示的肟磺酸酯結(jié)構(gòu)的化合物特別優(yōu)選為由下述式(OS-6)～式(OS-11)的任一個所表示的肟磺酸酯化合物。[化21]式(OS-6)～式(OS-11)中，R301～R306表示烷基、芳基或雜芳基，R307表示氫原子或溴原子，R308～R310、R313、R316及R318分別獨(dú)立地表示氫原子、碳數(shù)1～8的烷基、鹵素原子、氯甲基、溴甲基、溴乙基、甲氧基甲基、苯基或氯苯基，R311及R314分別獨(dú)立地表示氫原子、鹵素原子、甲基或甲氧基，R312、R315、R317及R319分別獨(dú)立地表示氫原子或甲基。所述式(OS-6)～式(OS-11)中的優(yōu)選的范圍與日本專利特開2011-221494號公報的段落0110～段落0112中所記載的(OS-6)～(OS-11)的優(yōu)選的范圍相同。作為由所述式(OS-3)～所述式(OS-5)所表示的肟磺酸酯化合物的具體例，可列舉日本專利特開2011-221494號公報的段落0114～段落0120中所記載的化合物，但本發(fā)明并不限定于這些化合物。在本發(fā)明中所使用的硬化性組合物中，相對于硬化性組合物中的所有有機(jī)固體成分100質(zhì)量份，(成分B)光酸產(chǎn)生劑優(yōu)選為使用0.1質(zhì)量份～10質(zhì)量份，更優(yōu)選為使用0.5質(zhì)量份～5質(zhì)量份。另外，成分B可單獨(dú)使用一種，也可并用兩種以上。＜增感劑＞在本發(fā)明中所使用的硬化性組合物中，除光酸產(chǎn)生劑以外，還可添加增感劑。增感劑吸收光化射線或放射線而成為激發(fā)狀態(tài)。成為激發(fā)狀態(tài)的增感劑通過與成分C的相互作用，而產(chǎn)生電子移動、能量移動、發(fā)熱等作用，并可開始·促進(jìn)酸產(chǎn)生。作為可用于本發(fā)明的典型的增感劑，可列舉克里維洛(Crivello)[J.V.Crivello,《聚合物科學(xué)進(jìn)展(Adv.inPolymerSci.)》,62,1(1984)]中所揭示者，具體而言，可列舉：芘、苝、吖啶橙、硫雜蒽酮、2-氯硫雜蒽酮、苯并黃素、N-乙烯咔唑、9,10-二丁氧基蒽、蒽醌、香豆素、香豆素酮、菲、樟腦醌、吩噻嗪衍生物等。優(yōu)選為相對于光酸產(chǎn)生劑，以50質(zhì)量％～200質(zhì)量％的比例添加增感劑。(成分C：分子量為1,000以下的交聯(lián)劑)本發(fā)明中所使用的硬化性組合物含有分子量為1,000以下，優(yōu)選為100以上，更優(yōu)選為140以上的低分子交聯(lián)劑作為成分C。通過添加交聯(lián)劑，而可提升由本發(fā)明中所使用的硬化性組合物所獲得的有機(jī)膜的耐剝離液性。作為交聯(lián)劑，只要是通過熱而引起交聯(lián)反應(yīng)者，則可無限制地使用(但是，成分A除外)。例如可例示以下所述的分子內(nèi)具有兩個以上的環(huán)氧基或氧雜環(huán)丁基的化合物、封閉型異氰酸酯化合物(具有經(jīng)保護(hù)的異氰酸基的化合物)、含有烷氧基甲基的化合物、或具有至少一個乙烯性不飽和雙鍵(乙烯性不飽和基)的化合物等，優(yōu)選為添加這些的任一種以上的交聯(lián)劑。相對于硬化性樹脂組合物的所有有機(jī)固體成分100質(zhì)量份，本發(fā)明中所使用的硬化性樹脂組合物中的交聯(lián)劑的添加量為7質(zhì)量份～40質(zhì)量份，優(yōu)選為10質(zhì)量份～30質(zhì)量份。通過在所述范圍內(nèi)添加，可獲得耐剝離液性優(yōu)異的硬化膜，并且使用具有組成b的剝離液組合物將形成于硬化膜的上層的無機(jī)膜上的蝕刻抗蝕劑剝離后的有機(jī)膜(硬化膜)表面的蝕刻抗蝕劑殘渣少而變得良好。交聯(lián)劑還可并用多種，在此情況下，通過將所有交聯(lián)劑合計而成的總含量來計算添加量。在本發(fā)明中，所述交聯(lián)劑優(yōu)選為選自由分子內(nèi)具有兩個以上的環(huán)氧基或氧雜環(huán)丁基的化合物、封閉型異氰酸酯化合物、及含有烷氧基甲基的交聯(lián)劑所組成的群組中的至少一種。以下，對可優(yōu)選地用于本發(fā)明的所述交聯(lián)劑進(jìn)行說明。＜分子內(nèi)具有兩個以上的環(huán)氧基或氧雜環(huán)丁基的化合物＞作為交聯(lián)劑，可列舉多官能的小員環(huán)環(huán)狀醚化合物。即，是指一分子內(nèi)具有兩個以上的環(huán)氧基和/或氧雜環(huán)丁基的化合物。所述化合物的分子量為分子量1,000以下，優(yōu)選為100以上，更優(yōu)選為140以上。在所述低分子的交聯(lián)劑中也可并用少量的分子量為1,000以上、未滿5,000的寡聚物，或分子量為5,000以上的高分子的交聯(lián)劑。作為分子內(nèi)具有兩個以上的環(huán)氧基的化合物的具體例，可列舉脂肪族環(huán)氧化合物等。這些可作為市售品而獲得。例如可列舉：丹納考爾(Denacol)EX-611、丹納考爾(Denacol)EX-612、丹納考爾(Denacol)EX-614、丹納考爾(Denacol)EX-614B、丹納考爾(Denacol)EX-622、丹納考爾(Denacol)EX-512、丹納考爾(Denacol)EX-521、丹納考爾(Denacol)EX-411、丹納考爾(Denacol)EX-421、丹納考爾(Denacol)EX-313、丹納考爾(Denacol)EX-314、丹納考爾(Denacol)EX-321、丹納考爾(Denacol)EX-211、丹納考爾(Denacol)EX-212、丹納考爾(Denacol)EX-810、丹納考爾(Denacol)EX-811、丹納考爾(Denacol)EX-850、丹納考爾(Denacol)EX-851、丹納考爾(Denacol)EX-821、丹納考爾(Denacol)EX-830、丹納考爾(Denacol)EX-832、丹納考爾(Denacol)EX-841、丹納考爾(Denacol)EX-911、丹納考爾(Denacol)EX-941、丹納考爾(Denacol)EX-920、丹納考爾(Denacol)EX-931、丹納考爾(Denacol)EX-212L、丹納考爾(Denacol)EX-214L、丹納考爾(Denacol)EX-216L、丹納考爾(Denacol)EX-321L、丹納考爾(Denacol)EX-850L、丹納考爾(Denacol)DLC-201、丹納考爾(Denacol)DLC-203、丹納考爾(Denacol)DLC-204、丹納考爾(Denacol)DLC-205、丹納考爾(Denacol)DLC-206、丹納考爾(Denacol)DLC-301、丹納考爾(Denacol)DLC-402(以上長瀨化成(NagasechemteX)制造)，賽羅西德(Celloxide)2021P、賽羅西德(Celloxide)2081、賽羅西德(Celloxide)3000、賽羅西德(Celloxide)EHPE3150，艾波利得(Epolead)GT400，塞露比納斯(Celvenus)B0134、塞露比納斯(Celvenus)B0177(大賽璐(Daicel)(股份))等。這些可單獨(dú)使用一種、或?qū)煞N以上組合使用。作為分子內(nèi)具有兩個以上的氧雜環(huán)丁基的化合物的具體例，可使用亞龍氧雜環(huán)丁烷(ARONEOXETANE)OXT-121、OXT-221、OX-SQ、PNOX(以上，東亞合成(股份)制造)。另外，含有氧雜環(huán)丁基的化合物優(yōu)選為單獨(dú)使用、或與含有環(huán)氧基的化合物混合使用。＜封閉型異氰酸酯化合物＞在本發(fā)明中，在硬化性組合物中，還可優(yōu)選地采用封閉型異氰酸酯系化合物作為交聯(lián)劑。封閉型異氰酸酯化合物只要是具有異氰酸酯基得到化學(xué)保護(hù)的封閉型異氰酸酯基的化合物，則并無特別限制，但就硬化性的觀點(diǎn)而言，優(yōu)選為一分子內(nèi)具有兩個以上的封閉型異氰酸酯基的化合物。封閉型異氰酸酯化合物還可將其分子量為1,000以下，優(yōu)選為100以上，更優(yōu)選為140以上的化合物用作交聯(lián)劑。再者，本發(fā)明中的封閉型異氰酸酯基是可通過熱而生成異氰酸酯基的基，例如，可優(yōu)選地例示使封閉劑與異氰酸酯基進(jìn)行反應(yīng)來保護(hù)異氰酸酯基的基。另外，所述封閉型異氰酸酯基優(yōu)選為可通過90℃～250℃的熱而生成異氰酸酯基的基。另外，作為封閉型異氰酸酯化合物，其骨架并無特別限定，只要是一分子中具有兩個異氰酸酯基的化合物，則可為任何化合物，可為脂肪族、脂環(huán)族或芳香族的聚異氰酸酯，例如可適宜地使用：2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、1,6-六亞甲基二異氰酸酯、1,3-三亞甲基二異氰酸酯、1,4-四亞甲基二異氰酸酯、2,2,4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯、2,4,4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯、1,9-九亞甲基二異氰酸酯、1,10-十亞甲基二異氰酸酯、1,4-環(huán)己烷二異氰酸酯、2,2'-二乙醚二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、鄰二甲苯二異氰酸酯、間二甲苯二異氰酸酯、對二甲苯二異氰酸酯、亞甲基雙(環(huán)己基異氰酸酯)、環(huán)己烷-1,3-二亞甲基二異氰酸酯、環(huán)己烷-1,4-二亞甲基二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、3,3'-亞甲基二甲苯-4,4'-二異氰酸酯、4,4'-二苯醚二異氰酸酯、四氯亞苯基二異氰酸酯、降冰片烷二異氰酸酯、氫化1,3-亞二甲苯基二異氰酸酯、氫化1,4-亞二甲苯基二異氰酸酯等異氰酸酯化合物及自這些化合物衍生出的預(yù)聚物型的骨架的化合物。這些之中，特別優(yōu)選為甲苯二異氰酸酯(TolyleneDiisocyanate，TDI)或二苯基甲烷二異氰酸酯(DiphenylMethaneDiisocyanate，MDI)、六亞甲基二異氰酸酯(HexamethyleneDiisocyanate，HDI)、異佛爾酮二異氰酸酯(IsophoroneDiisocyanate，IPDI)。作為本發(fā)明中所使用的硬化性組合物中的封閉型異氰酸酯化合物的母結(jié)構(gòu)，可列舉：縮二脲型、異氰脲酸酯型、加合物型、二官能預(yù)聚物型等。作為形成所述封閉型異氰酸酯化合物的封閉結(jié)構(gòu)的封閉劑，可列舉：肟化合物、內(nèi)酰胺化合物、酚化合物、醇化合物、胺化合物、活性亞甲基化合物、吡唑化合物、硫醇化合物、咪唑系化合物、酰亞胺系化合物等。這些之中，特別優(yōu)選為選自肟化合物、內(nèi)酰胺化合物、酚化合物、醇化合物、胺化合物、活性亞甲基化合物、吡唑化合物中的封閉劑。作為所述肟化合物，可列舉肟、及酮肟，具體而言，可例示：丙酮肟、甲醛肟、環(huán)己烷肟、甲基乙基酮肟、環(huán)己酮肟、二苯甲酮肟等。作為所述內(nèi)酰胺化合物，可例示：ε-己內(nèi)酰胺、γ-丁內(nèi)酰胺等。作為所述酚化合物，可例示：苯酚、萘酚、甲酚、二甲酚、鹵素取代苯酚等。作為所述醇化合物，可例示：甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、環(huán)己醇、乙二醇單烷基醚、丙二醇單烷基醚、乳酸烷基酯等。作為所述胺化合物，可列舉一級胺及二級胺，可為芳香族胺、脂肪族胺、脂環(huán)族胺的任一種，可例示：苯胺、二苯基胺、乙烯亞胺、聚乙烯亞胺等。作為所述活性亞甲基化合物，可例示：丙二酸二乙酯、丙二酸二甲酯、乙酰乙酸乙酯、乙酰乙酸甲酯等。作為所述吡唑化合物，可例示：吡唑、甲基吡唑、二甲基吡唑等。作為所述硫醇化合物，可例示：烷基硫醇、芳基硫醇等?？捎糜诒景l(fā)明中所使用的硬化性組合物的封閉型異氰酸酯化合物可作為市售品而獲得，例如可優(yōu)選地使用：克洛奈特(Coronate)AP斯塔波(Stable)M、克洛奈特(Coronate)2503、克洛奈特(Coronate)2515、克洛奈特(Coronate)2507、克洛奈特(Coronate)2513、克洛奈特(Coronate)2555、密里奧奈特(Millionate)MS-50(以上，日本聚氨酯工業(yè)(NipponPolyurethaneIndustry)(股份)制造)，塔克奈特(Takenate)B-830、塔克奈特(Takenate)B-815N、塔克奈特(Takenate)B-820NSU、塔克奈特(Takenate)B-842N、塔克奈特(Takenate)B-846N、塔克奈特(Takenate)B-870N、塔克奈特(Takenate)B-874N、塔克奈特(Takenate)B-882N(以上，三井化學(xué)(股份)制造)，多耐德(Duranate)17B-60PX、多耐德(Duranate)17B-60P、多耐德(Duranate)TPA-B80X、多耐德(Duranate)TPA-B80E、多耐德(Duranate)MF-B60X、多耐德(Duranate)MF-B60B、多耐德(Duranate)MF-K60X、多耐德(Duranate)MF-K60B、多耐德(Duranate)E402-B80B、多耐德(Duranate)SBN-70D、多耐德(Duranate)SBB-70P、多耐德(Duranate)K6000(以上，旭化成化學(xué)(AsahiKaseiChemicals)(股份)制造)，德斯莫杜爾(Desmodur)BL1100、德斯莫杜爾(Desmodur)BL1265MPA/X、德斯莫杜爾(Desmodur)BL3575/1、德斯莫杜爾(Desmodur)BL3272MPA、德斯莫杜爾(Desmodur)BL3370MPA、德斯莫杜爾(Desmodur)BL3475BA/SN、德斯莫杜爾(Desmodur)BL5375MPA、德斯莫杜爾(Desmodur)VPLS2078/2、德斯莫杜爾(Desmodur)BL4265SN、德斯莫杜爾(Desmodur)PL340、德斯莫杜爾(Desmodur)PL350、住杜爾(Sumidur)BL3175(以上，住化拜爾聚氨脂(SumikaBayerUrethane)(股份)制造)等。＜含有烷氧基甲基的交聯(lián)劑＞作為含有烷氧基甲基的化合物，優(yōu)選為烷氧基甲基化三聚氰胺、烷氧基甲基化苯并胍胺、烷氧基甲基化甘脲及烷氧基甲基化脲等。這些分別可通過將羥甲基化三聚氰胺、羥甲基化苯并胍胺、羥甲基化甘脲、或羥甲基化脲的羥甲基轉(zhuǎn)換成烷氧基甲基而獲得。所述烷氧基甲基的種類并無特別限定，例如可列舉甲氧基甲基、乙氧基甲基、丙氧基甲基、丁氧基甲基等，但就逸氣的產(chǎn)生量的觀點(diǎn)而言，特別優(yōu)選為甲氧基甲基。這些化合物之中，可列舉烷氧基甲基化三聚氰胺、烷氧基甲基化苯并胍胺、烷氧基甲基化甘脲作為優(yōu)選的化合物，就透明性的觀點(diǎn)而言，特別優(yōu)選為烷氧基甲基化甘脲。含有烷氧基甲基的交聯(lián)劑也將其分子量為1,000以下，優(yōu)選為100以上，更優(yōu)選為140以上的化合物用于硬化性組合物中。這些含有烷氧基甲基的化合物可作為市售品而獲得，例如可優(yōu)選地使用沙麥路(Cymel)300、沙麥路(Cymel)301、沙麥路(Cymel)303、沙麥路(Cymel)370、沙麥路(Cymel)325、沙麥路(Cymel)327、沙麥路(Cymel)701、沙麥路(Cymel)266、沙麥路(Cymel)267、沙麥路(Cymel)238、沙麥路(Cymel)1141、沙麥路(Cymel)272、沙麥路(Cymel)202、沙麥路(Cymel)1156、沙麥路(Cymel)1158、沙麥路(Cymel)1123、沙麥路(Cymel)1170、沙麥路(Cymel)1174、沙麥路(Cymel)UFR65、沙麥路(Cymel)300(以上，三井氰胺(MitsuiCyanamid)(股份)制造)，尼卡萊克(Nikalac)MX-750、尼卡萊克(Nikalac)MX-032、尼卡萊克(Nikalac)MX-706、尼卡萊克(Nikalac)MX-708、尼卡萊克(Nikalac)MX-40、尼卡萊克(Nikalac)MX-31、尼卡萊克(Nikalac)MX-270、尼卡萊克(Nikalac)MX-280、尼卡萊克(Nikalac)MX-290、尼卡萊克(Nikalac)MS-11、尼卡萊克(Nikalac)MW-30HM、尼卡萊克(Nikalac)MW-100LM、尼卡萊克(Nikalac)MW-390(以上，三和化學(xué)(SanwaChemical)(股份)制造)等。(成分D：有機(jī)溶劑)本發(fā)明中所使用的具有組成a的硬化性組合物含有有機(jī)溶劑作為成分D。具有組成a的硬化性組合物優(yōu)選為使用溶解作為必需成分的成分A、成分B、及成分C與后述的任意成分的有機(jī)溶劑，作為溶解有這些成分的溶液來制備。作為成分D，可使用公知的有機(jī)溶劑，可例示：乙二醇單烷基醚類、乙二醇二烷基醚類、乙二醇單烷基醚乙酸酯類、丙二醇單烷基醚類、丙二醇二烷基醚類、丙二醇單烷基醚乙酸酯類、二乙二醇二烷基醚類、二乙二醇單烷基醚乙酸酯類、二丙二醇單烷基醚類、丁二醇二乙酸酯類、二丙二醇二烷基醚類、二丙二醇單烷基醚乙酸酯類、醇類、酯類、酮類、酰胺類、內(nèi)酯類等。作為這些有機(jī)溶劑的具體例，可參照日本專利特開2009-098616號公報的段落0062。優(yōu)選的具體例可列舉：丙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇二乙醚、二乙二醇乙基甲醚、丙二醇單甲醚、1,3-丁二醇二乙酸酯、甲氧基丙基乙酸酯、環(huán)己醇乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、四氫糠醇。就涂布性的觀點(diǎn)而言，有機(jī)溶劑的沸點(diǎn)優(yōu)選為100℃～300℃，更優(yōu)選為120℃～250℃。可用于本發(fā)明的溶劑可單獨(dú)使用一種、或并用兩種以上。并用沸點(diǎn)不同的溶劑也優(yōu)選。就調(diào)整成適合于涂布的粘度這一觀點(diǎn)而言，相對于感光性組合物的總固體成分100質(zhì)量份，本發(fā)明中所使用的硬化性組合物中的溶劑的含量優(yōu)選為100質(zhì)量份～3,000質(zhì)量份，更優(yōu)選為200質(zhì)量份～2,000質(zhì)量份，進(jìn)而更優(yōu)選為250質(zhì)量份～1,000質(zhì)量份。作為硬化性組合物的固體成分濃度，優(yōu)選為3質(zhì)量％～50質(zhì)量％，更優(yōu)選為20質(zhì)量％～40質(zhì)量％。(堿性化合物)本發(fā)明中所使用的硬化性組合物也可含有堿性化合物。作為堿性化合物，可自化學(xué)增幅硬化性組合物中所使用者中任意地選擇來使用。例如可列舉：脂肪族胺、芳香族胺、雜環(huán)式胺、氫氧化四級銨、羧酸的四級銨鹽等。作為這些的具體例，可列舉日本專利特開2011-221494號公報的段落0204～段落0207中所記載的化合物。具體而言，作為脂肪族胺，例如可列舉：三甲基胺、二乙基胺、三乙基胺、二-正丙基胺、三-正丙基胺、二-正戊基胺、三-正戊基胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二環(huán)己胺、二環(huán)己基甲基胺等。作為芳香族胺，例如可列舉：苯胺、芐基胺、N,N-二甲基苯胺、二苯基胺等。作為雜環(huán)式胺，例如可列舉：吡啶、2-甲基吡啶、4-甲基吡啶、2-乙基吡啶、4-乙基吡啶、2-苯基吡啶、4-苯基吡啶、N-甲基-4-苯基吡啶、4-二甲基氨基吡啶、咪唑、苯并咪唑、4-甲基咪唑、2-苯基苯并咪唑、2,4,5-三苯基咪唑、煙堿、煙酸、煙酰胺、喹啉、8-羥基喹啉、吡嗪、吡唑、噠嗪、嘌呤、吡咯烷、哌啶、哌嗪、嗎啉、4-甲基嗎啉、N-環(huán)己基-N'-[2-(4-嗎啉基)乙基]硫脲、1,5-二氮雜雙環(huán)[4.3.0]-5-壬烯、1,8-二氮雜雙環(huán)[5.3.0]-7-十一烯、丁烷-1,2,3,4-四羧酸四(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)等。作為氫氧化四級銨，例如可列舉：氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化四-正丁基銨、氫氧化四-正己基銨等。作為羧酸的四級銨鹽，例如可列舉：乙酸四甲基銨、苯甲酸四甲基銨、乙酸四-正丁基銨、苯甲酸四-正丁基銨等。這些之中，優(yōu)選為雜環(huán)式胺，特別優(yōu)選為N-環(huán)己基-N'-[2-(4-嗎啉基)乙基]硫脲?？捎糜诒景l(fā)明的堿性化合物可單獨(dú)使用一種，也可并用兩種以上。相對于硬化性組合物中的所有有機(jī)固體成分100質(zhì)量份，硬化性組合物中的堿性化合物的含量優(yōu)選為0.001質(zhì)量份～3質(zhì)量份，更優(yōu)選為0.05質(zhì)量份～0.5質(zhì)量份。＜表面活性劑＞本發(fā)明中所使用的硬化性組合物也可含有表面活性劑作為其他成分。作為表面活性劑，可使用陰離子系、陽離子系、非離子系、或兩性的任一種，但優(yōu)選的表面活性劑為非離子系表面活性劑。作為表面活性劑，優(yōu)選為非離子系表面活性劑，更優(yōu)選為氟系表面活性劑。作為可用于本發(fā)明的表面活性劑，例如可列舉：作為市售品的美佳法(Megafac)F142D、美佳法(Megafac)F172、美佳法(Megafac)F173、美佳法(Megafac)F176、美佳法(Megafac)F177、美佳法(Megafac)F183、美佳法(Megafac)F479、美佳法(Megafac)F482、美佳法(Megafac)F554、美佳法(Megafac)F780、美佳法(Megafac)F781、美佳法(Megafac)F781-F、美佳法(Megafac)R30、美佳法(Megafac)R08、美佳法(Megafac)F-472SF、美佳法(Megafac)BL20、美佳法(Megafac)R-61、美佳法(Megafac)R-90(迪愛生(DIC)(股份)制造)，弗洛德(Fluorad)FC-135、弗洛德(Fluorad)FC-170C、弗洛德(Fluorad)FC-430、弗洛德(Fluorad)FC-431、諾貝克(Novec)FC-4430(住友3M(Sumitomo3M)(股份)制造)，阿薩佳(AsahiGuard)AG7105、阿薩佳(AsahiGuard)AG7000、阿薩佳(AsahiGuard)AG950、阿薩佳(AsahiGuard)AG7600，沙福隆(Surflon)S-112，沙福隆(Surflon)S-113，沙福隆(Surflon)S-131，沙福隆(Surflon)S-141，沙福隆(Surflon)S-145，沙福隆(Surflon)S-382，沙福隆(Surflon)SC-101，沙福隆(Surflon)SC-102，沙福隆(Surflon)SC-103，沙福隆(Surflon)SC-104，沙福隆(Surflon)SC-105，沙福隆(Surflon)SC-106(旭硝子(股份)制造)，艾福拓(Eftop)EF351，艾福拓(Eftop)EF352，艾福拓(Eftop)EF801，艾福拓(Eftop)EF802(三菱材料電子化成(股份)制造)，福杰特(Ftergent)250(尼歐斯(Neos)(股份)制造)。另外，除所述以外，還可列舉KP(信越化學(xué)工業(yè)(股份)制造)，珀利弗洛(Polyflow)(共榮社化學(xué)(股份)制造)，艾福拓(Eftop)(三菱材料電子化成(股份)制造)，美佳法(Megafac)(迪愛生(股份)制造)，弗洛德(Fluorad)(住友3M(股份)制造)，阿薩佳(AsahiGuard)、沙福隆(Surflon)(旭硝子(股份)制造)，波利福斯(PolyFox)(歐諾法(OMNOVA)公司制造)等各系列。另外，作為表面活性劑，可列舉含有由下述式W所表示的構(gòu)成單元A及構(gòu)成單元B，將四氫呋喃作為溶媒并由凝膠滲透色譜法所測定的聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)為1,000以上、10,000以下的共聚物作為優(yōu)選例。[化22]式W中，RW1及RW3分別獨(dú)立地表示氫原子或甲基，RW2表示碳數(shù)1以上、4以下的直鏈亞烷基，RW4表示氫原子或碳數(shù)1以上、4以下的烷基，LW表示碳數(shù)3以上、6以下的亞烷基，p及q為表示聚合比的質(zhì)量百分率，p表示10質(zhì)量％以上、80質(zhì)量％以下的數(shù)值，q表示20質(zhì)量％以上、90質(zhì)量％以下的數(shù)值，r表示1以上、18以下的整數(shù)，s表示1以上、10以下的整數(shù)。所述LW優(yōu)選為由下述式W-2所表示的分支亞烷基。式W-2中的RW5表示碳數(shù)1以上、4以下的烷基，就相容性與對于被涂布面的潤濕性的觀點(diǎn)而言，優(yōu)選為碳數(shù)1以上、3以下的烷基，更優(yōu)選為碳數(shù)2或3的烷基。式W中的p與q的和(p+q)優(yōu)選為p+q＝100，即為100質(zhì)量％。所述共聚物的重量平均分子量(Mw)更優(yōu)選為1,500以上、5,000以下。[化23]當(dāng)調(diào)配表面活性劑時，相對于感光性組合物的總固體成分中100質(zhì)量份，本發(fā)明中所使用的硬化性組合物中的表面活性劑的含量優(yōu)選為0.001質(zhì)量份～5.0質(zhì)量份，更優(yōu)選為0.01質(zhì)量份～2.0質(zhì)量份。表面活性劑可僅含有一種，也可含有兩種以上。當(dāng)含有兩種以上時，優(yōu)選為其合計量成為所述范圍。＜抗氧化劑＞本發(fā)明中所使用的硬化性組合物除所述成分以外，也可含有抗氧化劑。再者，抗氧化劑為所述成分K以外的化合物。可含有公知的抗氧化劑作為抗氧化劑。通過添加抗氧化劑，具有如下的優(yōu)點(diǎn)：可防止硬化膜的著色、或可減低由分解所造成的膜厚減少，且，耐熱透明性優(yōu)異。作為此種抗氧化劑，例如可列舉：磷系抗氧化劑、酰胺類、酰肼類、受阻酚系抗氧化劑、抗壞血酸類、硫酸鋅、糖類、亞硝酸鹽、亞硫酸鹽、硫代硫酸鹽、羥基胺衍生物等。這些之中，就硬化膜的著色、膜厚減少的觀點(diǎn)而言，特別優(yōu)選為受阻酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑，最優(yōu)選為受阻酚系抗氧化劑。這些可單獨(dú)使用一種，也可混合兩種以上。作為優(yōu)選的市售品，可列舉：艾迪科斯塔波(Adekastab)AO-60、艾迪科斯塔波(Adekastab)AO-80(以上，艾迪科(ADEKA)(股份)制造)，易璐諾斯(Irganox)1098及易璐諾斯(Irganox)1035(以上，巴斯夫公司制造)?？寡趸瘎┑暮坎o特別限制，但相對于感光性組合物的總固體成分，優(yōu)選為0.1質(zhì)量％～10質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.2質(zhì)量％～5質(zhì)量％，進(jìn)而更優(yōu)選為0.5質(zhì)量％～4質(zhì)量％。＜粘合劑聚合物＞就提升解析性及皮膜特性等的觀點(diǎn)而言，本發(fā)明中所使用的硬化性組合物也可含有粘合劑聚合物。作為粘合劑聚合物，并無特別限制，可使用公知的粘合劑聚合物，但優(yōu)選為使用線狀有機(jī)聚合物。作為此種線狀有機(jī)聚合物，可任意地使用公知的線狀有機(jī)聚合物。優(yōu)選為可進(jìn)行水顯影或弱堿水顯影，因此選擇對于水或弱堿水為可溶性或膨潤性的線狀有機(jī)聚合物。線狀有機(jī)聚合物對應(yīng)于不僅作為皮膜形成劑，而且作為水、弱堿水或有機(jī)溶劑顯影液的用途而選擇使用。例如，若使用水可溶性有機(jī)聚合物，則可進(jìn)行水顯影。作為此種線狀有機(jī)聚合物，可列舉：在側(cè)鏈上具有羧酸基的自由基聚合體，例如日本專利特開昭59-44615號公報、日本專利特公昭54-34327號公報、日本專利特公昭58-12577號公報、日本專利特公昭54-25957號公報、日本專利特開昭54-92723號公報公報、日本專利特開昭59-53836號公報、日本專利特開昭59-71048號公報中所記載者，即，使具有羧基的單體進(jìn)行均聚或共聚而成的樹脂，使具有酸酐的單體進(jìn)行均聚或共聚并對酸酐單元加以水解、或者加以半酯化或半酰胺化而成的樹脂，利用不飽和一元羧酸及酸酐來使環(huán)氧樹脂改性而成的環(huán)氧丙烯酸酯等。作為具有羧基的單體，可列舉丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、巴豆酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、4-羧基苯乙烯等，作為具有酸酐的單體，可列舉順丁烯二酸酐等。另外，有同樣在側(cè)鏈上具有羧酸基的酸性纖維素衍生物。除此以外，在具有羥基的聚合體中加成環(huán)狀酸酐而成者等有用。本發(fā)明中所使用的硬化性組合物中的粘合劑聚合物的含量并無特別限制，但相對于感光性組合物的總固體成分，優(yōu)選為0質(zhì)量％～25質(zhì)量％，更優(yōu)選為0質(zhì)量％～10質(zhì)量％，更優(yōu)選為0質(zhì)量％～2質(zhì)量％。另外，就硬化膜的硬度的觀點(diǎn)而言，相對于硬化性組合物的所有有機(jī)固體成分量，本發(fā)明中所使用的硬化性組合物中的重量平均分子量超過10,000的聚合物成分的含量優(yōu)選為25質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為10質(zhì)量％以下，進(jìn)而更優(yōu)選為2質(zhì)量％以下，特別優(yōu)選為完全不含聚合物成分。＜其他成分＞在本發(fā)明中所使用的硬化性組合物中，除所述以外，視需要還可添加塑化劑、熱酸產(chǎn)生劑、酸增殖劑等其他成分。關(guān)于這些成分，例如可使用日本專利特開2009-98616號公報、日本專利特開2009-244801號公報中所記載者，其他公知者。另外，也可將《高分子添加劑的新進(jìn)展》(日刊工業(yè)新聞(股份))中所記載的各種紫外線吸收劑、或金屬鈍化劑等添加至本發(fā)明中所使用的硬化性組合物中。＜TFT基板的制造方法＞所謂TFT基板，是指具備TFT元件的基板。TFT基板包含用于有機(jī)EL顯示裝置、液晶顯示裝置的TFT基板。本發(fā)明的TFT基板的制造方法依次包括下述的步驟1～步驟6的步驟。在任一步驟的前或后可包括任意的步驟。步驟1：使用由所述組成a所表示的硬化性組合物，在具備TFT元件的基板上形成有機(jī)膜層的步驟步驟2：在所述有機(jī)膜上的至少一部分上形成無機(jī)膜層的步驟步驟3：使用抗蝕劑組合物在所述無機(jī)膜上形成抗蝕劑層的步驟步驟4：對所述抗蝕劑層進(jìn)行曝光及利用水性顯影液進(jìn)行顯影的步驟步驟5：經(jīng)由經(jīng)顯影的所述抗蝕劑層對所述無機(jī)膜進(jìn)行蝕刻的步驟步驟6：使用由下述組成b所表示的剝離液組合物將所述抗蝕劑層剝離去除的步驟以下依次對所述各步驟進(jìn)行說明。＜步驟1：使用由所述組成a所表示的硬化性組合物，在具備TFT元件的基板上形成有機(jī)膜層的步驟＞步驟1為形成有機(jī)膜的步驟，也稱為“有機(jī)膜形成步驟”。“具備TFT元件的基板”如上所述。所謂“使用由所述組成a所表示的硬化性組合物”，是指所述“通過涂設(shè)硬化性組合物”。所謂有機(jī)膜，是指自含有碳原子的硬化性組合物所獲得的薄膜，包含連續(xù)的膜及經(jīng)圖案化的膜兩者，還包含層間絕緣膜或保護(hù)膜等。在本發(fā)明中，有機(jī)膜層形成步驟優(yōu)選為包含以下的(1)～(5)的子步驟。(子步驟1)將由所述組成a所表示的硬化性組合物涂布于具備TFT元件的基板上的步驟(子步驟2)自所涂布的硬化性組合物中去除溶劑的步驟(子步驟3)利用光化射線對經(jīng)溶劑去除的硬化性組合物進(jìn)行曝光的步驟(子步驟4)利用水性顯影液對經(jīng)曝光的硬化性組合物物進(jìn)行顯影的步驟(子步驟5)對經(jīng)顯影的硬化性組合物進(jìn)行熱硬化的后烘烤步驟以下依次對所述(子步驟1)～(子步驟5)進(jìn)行說明。在(子步驟1)的涂布步驟中，將由所述組成a所表示的硬化性組合物涂布于具備TFT元件的基板上，而制成含有溶劑的濕潤膜。優(yōu)選為在將硬化性組合物涂布于基板上前進(jìn)行堿清洗或等離子體清洗等基板的清洗，更優(yōu)選為在基板清洗后進(jìn)而利用六甲基二硅氮烷對基板表面進(jìn)行處理。通過進(jìn)行所述處理，而存在硬化性組合物對于基板的密接性提升的傾向。作為利用六甲基二硅氮烷對基板表面進(jìn)行處理的方法，并無特別限定，例如可列舉事先使基板曝露于六甲基二硅氮烷蒸氣中的方法等。朝基板上涂布的方法并無特別限定，例如可使用：狹縫涂布法、噴霧法、輥涂法、旋轉(zhuǎn)涂布法、流延涂布法、狹縫及旋轉(zhuǎn)(slitandspin)法等方法。進(jìn)而，還可應(yīng)用如日本專利特開2009-145395號公報中所記載的所謂的預(yù)濕(prewet)法。應(yīng)用時的濕潤膜的膜厚并無特別限定，能夠以對應(yīng)于用途的膜厚進(jìn)行涂布，但優(yōu)選為0.5μm～10μm的范圍。在(子步驟2)的溶劑去除步驟中，通過減壓(真空)和/或加熱而自所應(yīng)用的所述硬化性組合物的濕潤膜中去除溶劑，從而在基板上形成干燥涂膜。溶劑去除步驟的加熱條件可適宜選擇，但優(yōu)選為溫度范圍為70℃～130℃，加熱時間為30秒～300秒。當(dāng)溫度與時間為所述范圍時，存在圖案對于基板的密接性更良好、且也可進(jìn)一步減少殘渣的傾向。在(子步驟3)的曝光步驟中，隔著具有規(guī)定的圖案的掩模對設(shè)置有涂膜的基板照射光化射線。在所述步驟中，光酸產(chǎn)生劑在曝光區(qū)域中分解，由此產(chǎn)生酸。涂膜成分中所含有的酸分解性基因所產(chǎn)生的酸的催化劑作用而分解，并生成羧基或酚性羥基等酸性基。作為光化射線的曝光光源，可使用低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、化學(xué)燈、發(fā)光二極管(LightEmittingDiode，LED)光源準(zhǔn)分子激光產(chǎn)生裝置等，可優(yōu)選地使用g射線(436nm)、i射線(365nm)、h射線(405nm)等具有波長范圍為300nm以上、450nm以下的波長的光化射線。另外，視需要還可通過如長波長截止濾波器、短波長截止濾波器、帶通濾波器般的分光濾波器來調(diào)整照射光。作為曝光裝置，可使用鏡面投影對準(zhǔn)曝光器(mirrorprojectionaligner)，步進(jìn)機(jī)，掃描器，近接、接觸、微透鏡陣列、激光曝光等各種方式的曝光機(jī)。在生成有酸催化劑的區(qū)域中，為了加快所述分解反應(yīng)，可進(jìn)行曝光后加熱處理：曝光后烘烤(PostExposureBake)(以下，也稱為“PEB”)。通過PEB，可促進(jìn)來自酸分解性基的羧基或酚性羥基的生成。進(jìn)行PEB時的溫度范圍優(yōu)選為30℃以上、130℃以下，更優(yōu)選為40℃以上、110℃以下，特別優(yōu)選為50℃以上、100℃以下。但是，本發(fā)明中的酸分解性基由于酸分解的活化能低，容易因由曝光所產(chǎn)生的源自酸產(chǎn)生劑的酸而分解，并產(chǎn)生羧基或酚性羥基等，因此未必要進(jìn)行PEB，也可通過顯影而形成正像(positiveimage)。在(子步驟4)的顯影步驟中，利用堿性顯影液對具有已游離的羧基或酚性羥基等的聚合體1等進(jìn)行顯影。將包含具有容易溶解于堿性顯影液中的羧基或酚性羥基等的組合物的曝光部區(qū)域去除，由此形成正像。優(yōu)選為在顯影步驟中所使用的顯影液中含有堿性化合物。作為堿性化合物，例如可使用：氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀等堿金屬氫氧化物類；碳酸鈉、碳酸鉀等堿金屬碳酸鹽類；重碳酸鈉、重碳酸鉀等堿金屬重碳酸鹽類；氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化膽堿等氫氧化銨類；硅酸鈉、偏硅酸鈉等的水溶液。另外，還可將向所述堿類的水溶液中添加適量的甲醇或乙醇等水溶性有機(jī)溶劑或表面活性劑而成的水溶液用作顯影液。作為優(yōu)選的顯影液，可列舉：氫氧化四乙基銨的0.4％水溶液、0.5％水溶液、0.7％水溶液、2.38％水溶液。顯影液的pH值優(yōu)選為10.0～14.0。顯影時間可適宜選擇，優(yōu)選為30秒～500秒，且，顯影的方法可為覆液法、浸漬法等任一種方法。顯影后，通常進(jìn)行30秒～300秒的流水清洗，而可形成所期望的圖案。在顯影后，還可進(jìn)行淋洗步驟。在淋洗步驟中，利用純水等清洗顯影后的基板，由此將所附著的顯影液去除，并將顯影殘渣去除。淋洗方法可使用公知的方法。例如可列舉噴淋淋洗或浸漬淋洗等。在(子步驟5)的后烘烤步驟中，通過對所獲得的正像進(jìn)行加熱，可使酸分解性基進(jìn)行熱分解而生成羧基或酚性羥基，并與交聯(lián)性基、交聯(lián)劑等進(jìn)行交聯(lián)，由此形成作為硬化膜的有機(jī)膜層。關(guān)于所述加熱，使用熱板或烘箱等加熱裝置，在規(guī)定的溫度，例如180℃～250℃下歷時規(guī)定的時間進(jìn)行加熱。例如若為熱板上，則優(yōu)選為進(jìn)行5分鐘～90分鐘的加熱處理，若為烘箱，則優(yōu)選為進(jìn)行30分鐘～120分鐘的加熱處理。通過使此種交聯(lián)反應(yīng)進(jìn)行，而可形成耐熱性、硬度等更優(yōu)異的保護(hù)膜或?qū)娱g絕緣膜。另外，當(dāng)進(jìn)行加熱處理時，還可在氮?dú)猸h(huán)境下進(jìn)行，由此進(jìn)一步提升透明性。還可在后烘烤前、以比較低的溫度進(jìn)行烘烤后進(jìn)行后烘烤(中間烘烤步驟的追加)。當(dāng)進(jìn)行中間烘烤步驟時，優(yōu)選為在90℃～150℃下加熱1分鐘～60分鐘后，在200℃以上的高溫下進(jìn)行后烘烤。另外，還可將中間烘烤、后烘烤分成三個階段以上的多階段來實(shí)施。通過此種中間烘烤、后烘烤的設(shè)計，可調(diào)整圖案的錐角。這些加熱可使用熱板、烘箱、紅外線加熱器等公知的加熱方法。再者，可在后烘烤之前，利用光化射線對形成有圖案的基板進(jìn)行全面再曝光(后曝光)，然后進(jìn)行后烘烤，由此自存在于未曝光部分中的光酸產(chǎn)生劑產(chǎn)生酸，并使其作為促進(jìn)交聯(lián)步驟的催化劑發(fā)揮功能，從而可促進(jìn)膜的硬化反應(yīng)。作為包含后曝光步驟時的優(yōu)選的曝光量，優(yōu)選為100mJ/cm2～3,000mJ/cm2，特別優(yōu)選為100mJ/cm2～500mJ/cm2。＜步驟2：在所述有機(jī)膜上的至少一部分上形成無機(jī)膜的步驟(無機(jī)膜形成步驟)＞在本發(fā)明中，在無機(jī)膜形成步驟中可使用公知的成膜法、真空蒸鍍法、分子束外延生長法、離子團(tuán)束法、低能量離子束法、離子鍍法、化學(xué)氣相沉積(ChemicalVaporDeposition，CVD)法、濺鍍法、大氣壓等離子體法等。另外，所述無機(jī)膜形成步驟中所使用的無機(jī)膜形成于所述有機(jī)膜層上的至少一部分上，例如可使用：鉻膜，鉬膜，鉬合金膜，鉭膜，鉭合金膜，鎢膜，鎢合金膜，摻雜有氧化錫的氧化銦(ITO、氧化銦鋅(IndiumZincOxide，IZO))膜或氧化錫膜，Ni、Cu、Fe、Al、Ti等的金屬膜；石英(SiOx)、玻璃、氮化硅膜、硅、氮化硅、多晶硅、氧化硅、非晶硅膜、銦鎵鋅氧化物(IndiumGalliumZincOxygen，IGZO)等的氧化物半導(dǎo)體膜等。如此，“無機(jī)膜”是指不含碳原子、且僅包含無機(jī)原子的薄層，優(yōu)選為選自由氧化銦錫(ITO)膜、金屬膜、氮化硅膜(SiNx)及氧化硅膜所組成的群組中的無機(jī)膜層，更優(yōu)選為ITO膜或SiNx膜。＜步驟3：使用抗蝕劑組合物在所述無機(jī)膜上形成抗蝕劑層的步驟(抗蝕劑層形成步驟)＞朝無機(jī)膜上形成抗蝕劑的步驟優(yōu)選為包括將抗蝕劑組合物應(yīng)用于無機(jī)膜層上的步驟、及自所應(yīng)用的抗蝕劑組合物中去除溶劑的步驟。在將抗蝕劑組合物應(yīng)用于無機(jī)膜層上的步驟中，優(yōu)選為將所述抗蝕劑組合物涂布于無機(jī)膜上而制成含有溶劑的濕潤膜。朝基板上涂布的方法并無特別限定，例如可使用：噴墨法、狹縫涂布法、噴霧法、輥涂法、旋轉(zhuǎn)涂布法、流延涂布法、狹縫及旋轉(zhuǎn)法等方法。進(jìn)而，還可應(yīng)用如日本專利特開2009-145395號公報中所記載的所謂的預(yù)濕(prewet)法。涂布時的濕膜厚并無特別限定，能夠以對應(yīng)于用途的膜厚進(jìn)行涂布，但通常在0.5μm～10μm的范圍內(nèi)使用。另外，在自所應(yīng)用的抗蝕劑組合物中去除溶劑的步驟中，通過減壓(真空)和/或加熱而自所應(yīng)用的所述膜中去除溶劑，從而在基板上形成干燥涂膜。溶劑去除步驟的加熱條件優(yōu)選為70℃～130℃且30秒～300秒左右。當(dāng)溫度與時間為所述范圍時，存在圖案的密接性更良好、且還可進(jìn)一步減少殘渣的傾向。＜步驟4：對所述抗蝕劑層進(jìn)行曝光的步驟(曝光步驟)及利用水性顯影液進(jìn)行顯影的步驟(顯影步驟)＞在本發(fā)明的無機(jī)膜上的抗蝕劑層的曝光步驟中，對所獲得的涂膜照射波長為300nm～450nm的光化射線。作為利用光化射線的曝光光源，可使用低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、化學(xué)燈、LED光源、準(zhǔn)分子激光產(chǎn)生裝置等，可優(yōu)選地使用g射線(436nm)、i射線(365nm)、h射線(405nm)等具有波長為300nm以上、450nm以下的波長的光化射線，可更優(yōu)選地使用波長300nm～440nm。另外，視需要還可通過如長波長截止濾波器、短波長截止濾波器、帶通濾波器般的分光濾波器來調(diào)整照射光。作為曝光裝置，可使用鏡面投影對準(zhǔn)曝光器，步進(jìn)機(jī)，掃描器，近接、接觸、微透鏡陣列、激光曝光等各種方式的曝光機(jī)。進(jìn)而，在本發(fā)明中，視需要還可進(jìn)行曝光后加熱處理：曝光后烘烤(PostExposureBake)(以下，也稱為“PEB”)。另外，本發(fā)明的無機(jī)膜上的抗蝕劑層的顯影步驟可通過所述方法來進(jìn)行。進(jìn)而，在所述顯影步驟后、下述蝕刻步驟前，還可進(jìn)行對所述抗蝕劑圖案實(shí)施后烘烤來使其熱硬化的步驟。應(yīng)用于本發(fā)明的無機(jī)膜上的抗蝕劑材料并無特別限定，使用公知的抗蝕劑材料。例如可列舉正型、負(fù)型、及正-負(fù)兼用型的光致抗蝕劑，優(yōu)選為正型的抗蝕劑材料。正型抗蝕劑的具體例可列舉：桂皮酸乙烯系、環(huán)化聚異丁烯系、偶氮-酚醛清漆樹脂系、重氮酮-酚醛清漆樹脂系、日本專利特開2013-15694號公報等中所記載的抗蝕劑等。另外，負(fù)型抗蝕劑的具體例可列舉：疊氮基-環(huán)化聚異戊二烯系、疊氮基-酚樹脂系、氯甲基聚苯乙烯系等。進(jìn)而，正-負(fù)兼用型抗蝕劑的具體例可列舉聚(對丁氧基羰氧基苯乙烯)系等。所述樹脂的分子量并無特別限定，在聚苯乙烯換算的重量平均分子量中，通常為1,000～100萬，優(yōu)選為2,000～10萬，更優(yōu)選為3,000～5萬。＜步驟5：經(jīng)由經(jīng)顯影的所述抗蝕劑層對無機(jī)膜進(jìn)行蝕刻的步驟＞本發(fā)明的TFT基板的制造方法包括將以上所形成的抗蝕劑圖案作為掩模來對無機(jī)膜層進(jìn)行蝕刻的步驟。作為將所述抗蝕劑圖案作為掩模來對所述無機(jī)膜層進(jìn)行蝕刻的方法，并無特別限制，可使用濕式蝕刻、干式蝕刻等公知的方法。＜步驟6：利用由下述組成b所表示的剝離液組合物將所述抗蝕劑層剝離去除的步驟(剝離去除步驟)＞在無機(jī)膜層上的抗蝕劑層的剝離去除步驟中，利用以特定的比例含有胺化合物(成分I)與由下述式(II-1)和/或下述式(II-2)所表示的化合物的剝離液組合物，將無機(jī)膜上的抗蝕劑層剝離去除。[化24]式中，R1～R3分別獨(dú)立地表示氫原子或烷基，R1與R2、或R1與R3可連結(jié)而形成環(huán)，R4表示亞烷基，R5表示氫原子或烷基，n表示1～4的整數(shù)。(成分I：胺化合物)抗蝕劑層的剝離去除步驟中所使用的剝離液組合物含有胺化合物作為成分I。其中，就抗蝕劑層的剝離去除性及下層的無機(jī)膜的可靠性的觀點(diǎn)而言，優(yōu)選為具有羥基的胺化合物。作為所述具有羥基的胺化合物，特別優(yōu)選為具有由以下的(I-1)所表示的結(jié)構(gòu)的胺化合物。[化25]式中，R6～R8分別獨(dú)立地表示氫原子、烷基、羥基或羥基烷基，R6～R8的至少一個表示羥基烷基或羥基。再者，當(dāng)R6～R8為烷基時，或為羥基烷基時，這些的烷基的優(yōu)選的碳數(shù)范圍與所述R1～R5相同，為1～5。羥基烷基的羥基可具有幾個，但在一個取代基中，優(yōu)選為一個或兩個，更優(yōu)選為一個。當(dāng)R6～R8為烷基或羥基烷基時，鄰接者彼此可鍵結(jié)而形成環(huán)。所述環(huán)優(yōu)選為5員環(huán)或6員環(huán)。另外，R6～R8中的羥基烷基的數(shù)量優(yōu)選為一個或兩個。作為由所述(I-1)所表示的胺化合物，可列舉：單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N-丙醇胺、單異丙醇胺、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、N,N-二乙基乙醇胺、N,N-二丁基乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N,N-二乙基羥基胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺等，尤其，更優(yōu)選為選自由單乙醇胺、N-丙醇胺、單異丙醇胺、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、單甲基乙醇胺、N,N-二乙基羥基胺所組成的群組中的至少一種。在剝離液組合物中，含有5質(zhì)量％～70質(zhì)量％的成分I的胺化合物，優(yōu)選為含有5質(zhì)量％～50質(zhì)量％。通過設(shè)為所述下限值以上，可促進(jìn)對于無機(jī)膜上的抗蝕劑的反應(yīng)，并加速溶解行為，且抗蝕劑層的剝離性提升。另一方面，通過設(shè)為所述上限值以下，下層的硬化膜(有機(jī)膜)的由剝離液所造成的影響變小、且耐剝離液性提升，并且可減少剝離無機(jī)膜上的抗蝕劑層后的硬化膜表面的抗蝕劑層的殘渣。另外，胺化合物也可并用多種，在此情況下，將所有胺化合物合計來計算含量。＜由下述式(II-1)和/或下述式(II-2)所表示的化合物＞抗蝕劑層的剝離去除步驟中所使用的剝離液組合物含有由下述式(II-1)和/或下述式(II-2)所表示的化合物作為成分II。[化26]式中，R1～R3分別獨(dú)立地表示氫原子或烷基，R1與R2、或R1與R3可連結(jié)而形成環(huán)，R4表示亞烷基，R5表示氫原子或烷基，n表示1～4的整數(shù)。所述烷基的碳數(shù)優(yōu)選為1～5，且，亞烷基的碳數(shù)優(yōu)選為2～5。所述環(huán)優(yōu)選為5員環(huán)～6員環(huán)，更優(yōu)選為吡咯烷酮環(huán)。＜由所述式(II-1)所表示的化合物＞作為由式(II-1)所表示的化合物，優(yōu)選為N-甲基吡咯烷酮、1-(羥基甲基)-2-吡咯烷酮、乙酰胺、N-甲基乙酰胺、二甲基乙酰胺、N-乙基乙酰胺、N,N-二乙基乙酰胺、N-甲基甲酰胺、二甲基甲酰胺、N-乙基甲酰胺、N,N-二乙基甲酰胺，更優(yōu)選為N-甲基吡咯烷酮、1-(羥基甲基)-2-吡咯烷酮、二甲基乙酰胺、N-甲基甲酰胺、二甲基甲酰胺、或這些的混合物。由所述式(II-1)所表示的化合物可單獨(dú)使用，也可并用多種，在此情況下，將所有由所述式(II-1)所表示的化合物合計來計算含量。＜由式(II-2)所表示的化合物＞作為由式(II-2)所表示的化合物，可列舉乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丙醚、二乙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇單丙醚、二丙二醇單丁醚、三乙二醇單甲醚、三乙二醇單乙醚、三乙二醇單丙醚、三乙二醇單丁醚、三丙二醇單甲醚、三丙二醇單乙醚、三丙二醇單丙醚、及三丙二醇單丁醚等，但并不限定于這些例示。其中，就防蝕性能高等的觀點(diǎn)而言，更優(yōu)選為二乙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、或這些的混合物。由所述式(II-2)所表示的化合物可單獨(dú)使用，也可并用多種，在此情況下，將所有由所述式(II-2)所表示的化合物合計來計算含量。在抗蝕劑層的剝離去除步驟中所使用的剝離液組合物中，相對于剝離液組合物的總量，成分I與由式(II-1)所表示的化合物的合計含量為50質(zhì)量％～100質(zhì)量％，優(yōu)選為70質(zhì)量％～100質(zhì)量％。通過含有所述下限值以上，下層的硬化膜(有機(jī)膜)的由剝離液所造成的影響變小、且耐剝離液性提升，并且可減少使用剝離液組合物剝離無機(jī)膜上的蝕刻抗蝕劑后的硬化膜表面的蝕刻抗蝕劑殘渣，故優(yōu)選。＜其他化合物＞作為用于本發(fā)明中所使用的抗蝕劑層的剝離去除步驟的剝離液組合物中所含有的其他化合物，優(yōu)選為水、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環(huán)己酮、環(huán)戊酮、甲基丙基酮、2-羥基異丁酸甲酯、γ-丁內(nèi)酯等，更優(yōu)選為水。另外，除所述成分以外，本發(fā)明的剝離液也可含有針對半導(dǎo)體基板上的金屬的抑制劑(防蝕劑)、表面活性劑、消泡劑等。作為表面活性劑，可自公知的非離子表面活性劑、陽離子表面活性劑、兩性表面活性劑等中適宜選擇來使用。作為防蝕劑，可適宜選擇唑類等含氮化合物、含硫系防蝕劑、糖系防蝕劑、乙二胺四乙酸等作為螯合劑所公知的化合物等來使用。作為消泡劑，可適宜使用乙炔醇、硅酮油等公知者。(液晶顯示裝置)本發(fā)明的液晶顯示裝置的特征在于包括本發(fā)明的TFT基板的制造方法。另外，本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置的特征在于包括本發(fā)明的TFT基板的制造方法。作為通過本發(fā)明的制造方法所制造的液晶顯示裝置，除包含由所述硬化性組合物所形成的平坦化膜或?qū)娱g絕緣膜等有機(jī)膜，并使用所述剝離液組合物將抗蝕劑層剝離去除以外，并無特別限制，可列舉采用各種結(jié)構(gòu)的公知的液晶顯示裝置。例如，作為本發(fā)明的制造方法的對象的液晶顯示裝置所具備的TFT(Thin-FilmTransistor；薄膜晶體管)的具體例可列舉：非晶硅-TFT、低溫多晶硅-TFT、氧化物半導(dǎo)體TFT等。另外，作為本發(fā)明的液晶顯示裝置可采用的液晶驅(qū)動方式，可列舉：扭轉(zhuǎn)向列(TwistedNematic，TN)方式、垂直取向(VerticallyAlignment，VA)方式、共面切換(In-Plane-Switching，IPS)方式、邊緣場切換(FringeFieldSwitching，F(xiàn)FS)方式、光學(xué)補(bǔ)償彎曲(OpticalCompensatedBend，OCB)方式等。在面板構(gòu)成中，即便是彩色濾光片陣列(ColorFilteronArray，COA)方式的液晶顯示裝置，也可使用本發(fā)明的硬化膜，例如可用作日本專利特開2005-284291號公報的有機(jī)絕緣膜(115)、或日本專利特開2005-346054號公報的有機(jī)絕緣膜(212)。另外，作為本發(fā)明的液晶顯示裝置可采用的液晶取向膜的具體的取向方式，可列舉摩擦取向法、光取向法等。另外，也可通過日本專利特開2003-149647號公報或日本專利特開2011-257734號公報中所記載的聚合物穩(wěn)定取向(PolymerSustainedAlignment，PSA)技術(shù)而得到聚合物取向支撐。另外，本發(fā)明中所使用的硬化性樹脂組合物及本發(fā)明的硬化膜并不限定于所述用途，可用于各種用途。例如，除平坦化膜或?qū)娱g絕緣膜以外，還可適宜地用于彩色濾光片的保護(hù)膜、或用以將液晶顯示裝置中的液晶層的厚度保持為固定的間隔片、或固體攝影元件中設(shè)置于彩色濾光片上的微透鏡等。圖1是有機(jī)EL顯示裝置的一例的構(gòu)成概念圖。表示底部發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置中的基板的示意剖面圖，且具有平坦化膜4。在玻璃基板6上形成底部柵極型的TFT1，并在覆蓋所述TFT1的狀態(tài)下形成包含Si3N4的絕緣膜3。在絕緣膜3上形成此處省略了圖示的接觸孔后，經(jīng)由所述接觸孔而在絕緣膜3上形成連接于TFT1的配線2(高度為1.0μm)。配線2是用以將TFT1間、或?qū)⑵浜蟮牟襟E中形成的有機(jī)EL元件與TFT1加以連接的配線。進(jìn)而，為了使由配線2的形成所造成的凹凸平坦化，在埋入由配線2所造成的凹凸的狀態(tài)下，在絕緣膜3上形成平坦化層4。在平坦化膜4上形成底部發(fā)光型的有機(jī)EL元件。即，使包含ITO的第一電極5經(jīng)由接觸孔7連接于配線2而形成在平坦化膜4上。另外，第一電極5相當(dāng)于有機(jī)EL元件的陽極。形成覆蓋第一電極5的周緣的形狀的絕緣膜8，通過設(shè)置所述絕緣膜8，可防止第一電極5與其后的步驟中所形成的第二電極之間的短路。進(jìn)而，雖然圖1中未圖示，但隔著所期望的圖案掩模而依次進(jìn)行蒸鍍來設(shè)置空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層，繼而，在基板上方的整個面上形成包含Al的第二電極，然后通過使用紫外線硬化型環(huán)氧樹脂而與密封用玻璃板進(jìn)行貼合來密封，而獲得在各有機(jī)EL元件上連接用以對其進(jìn)行驅(qū)動的TFT1而成的有源矩陣型的有機(jī)EL顯示裝置。圖2是表示有源矩陣方式的液晶顯示裝置10的一例的概念剖面圖。所述彩色液晶顯示裝置10為背面具有背光單元12的液晶面板，液晶面板配置有與配置在貼附有偏光膜的兩片玻璃基板14、玻璃基板15之間的所有像素相對應(yīng)的TFT16的元件。在形成于玻璃基板上的各元件中，通過形成于硬化膜17中的接觸孔18而配線有形成像素電極的ITO透明電極19。在ITO透明電極19上設(shè)置有液晶20的層、及配置有黑色矩陣的RGB彩色濾光片22。作為背光源的光源，并無特別限定，可使用公知的光源。例如可列舉：白色LED、藍(lán)色·紅色·綠色等的多色LED、熒光燈(冷陰極管)、有機(jī)EL等。另外，液晶顯示裝置還可制成3D(立體視)型的裝置、或制成觸摸屏型的裝置。進(jìn)而，還可設(shè)定成可撓型，并可用作日本專利特開2011-145686號公報的第2相間絕緣膜(48)、或日本專利特開2009-258758號公報的相間絕緣膜(520)。(有機(jī)EL顯示裝置)如上所述，本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置的特征在于通過包括本發(fā)明的TFT基板的制造方法的制造方法來制造。本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法除含有通過所述TFT基板的制造方法所制造的有機(jī)膜及無機(jī)膜以外，并無特別限制，作為有機(jī)膜，優(yōu)選為具有使用化學(xué)增幅型的正型硬化性組合物所形成的平坦化膜或?qū)娱g絕緣膜，作為無機(jī)膜，優(yōu)選為具有選自由氧化銦錫(ITO)膜、金屬膜、氮化硅膜(SiNx)及氧化硅膜所組成的群組中的無機(jī)膜層，除此以外，并無特別限制，而應(yīng)用于采用各種結(jié)構(gòu)的公知的各種有機(jī)EL顯示裝置的制造方法。例如，在應(yīng)用本發(fā)明的有機(jī)EL顯示裝置的制造方法的對象中，作為TFT(Thin-FilmTransistor；薄膜晶體管)的具體例，可列舉：非晶硅-TFT、低溫多晶硅-TFT、氧化物半導(dǎo)體TFT等。本發(fā)明中所使用的硬化性樹脂組合物由于硬化性及硬化膜特性優(yōu)異，因此將利用本發(fā)明中所使用的硬化性樹脂組合物所形成的抗蝕劑圖案制成隔離壁來作為微機(jī)電系統(tǒng)(MicroElectroMechanicalSystems，MEMS)元件的結(jié)構(gòu)構(gòu)件、或作為機(jī)械驅(qū)動零件的一部分加以組裝后使用。作為此種MEMS用元件，例如可列舉：表面聲波(SurfaceAcousticWave，SAW)濾波器、體聲波(BulkAcousticWave，BAW)濾波器、陀螺儀傳感器(gyrosensor)、顯示器用微快門、圖像傳感器、電子紙、噴墨頭、生物芯片、密封劑等零件。更具體的例子在日本專利特表2007-522531號公報、日本專利特開2008-250200號公報、日本專利特開2009-263544號公報等中有例示。本發(fā)明中所使用的硬化性樹脂組合物由于平坦性或透明性優(yōu)異，因此還可用于形成例如日本專利特開2011-107476號公報的圖2中所記載的堆積層(16)及平坦化膜(57)、日本專利特開2010-9793號公報的圖4(a)中所記載的隔離壁(12)及平坦化膜(102)、日本專利特開2010-27591號公報的圖10中所記載的堆積層(221)及第3層間絕緣膜(216b)、日本專利特開2009-128577號公報的圖4(a)中所記載的第2層間絕緣膜(125)及第3層間絕緣膜(126)、日本專利特開2010-182638號公報的圖3中所記載的平坦化膜(12)及像素分離絕緣膜(14)等。[實(shí)施例]以下，列舉實(shí)施例來更具體地說明本發(fā)明。只要不脫離本發(fā)明的主旨，則以下的實(shí)施例中所示的材料、使用量、比例、處理內(nèi)容、處理程序等可適宜變更。因此，本發(fā)明的范圍并不限定于以下所示的具體例。再者，只要事先無特別說明，則“份”、“％”為質(zhì)量基準(zhǔn)。在以下的合成例中，以下的符號分別表示以下的化合物。MATHF：甲基丙烯酸四氫呋喃-2-基酯(合成品)MAEVE：甲基丙烯酸-1-乙氧基乙酯(和光純藥工業(yè)(股份)制造)MACHOE：甲基丙烯酸-1-(環(huán)己氧基)乙酯(合成品)MATHP：甲基丙烯酸四氫-2H-吡喃-2-基酯(新中村化學(xué)工業(yè)(股份)制造)PHSEVE：對羥基苯乙烯的1-乙氧基乙基保護(hù)體(合成品)GMA：甲基丙烯酸縮水甘油酯(和光純藥工業(yè)(股份)制造)OXE-30：甲基丙烯酸(3-乙基氧雜環(huán)丁烷-3-基)甲酯(大阪有機(jī)化學(xué)工業(yè)(股份)制造)NBMA：正丁氧基甲基丙烯酰胺(三菱麗陽(股份)制造)MAA：甲基丙烯酸(和光純藥工業(yè)(股份)制造)HOMeSt：對羥基-α-甲基苯乙烯(三井化學(xué)(股份)制造)HEMA：甲基丙烯酸-2-羥基乙酯(和光純藥工業(yè)(股份)制造)MMA：甲基丙烯酸甲酯(和光純藥工業(yè)(股份)制造)St：苯乙烯(和光純藥工業(yè)(股份)制造)DCPM：甲基丙烯酸二環(huán)戊酯(日立化成工業(yè)(股份)制造)V-601：二甲基-2,2'-偶氮雙(2-甲基丙酸酯)(和光純藥工業(yè)(股份)制造)V-65：2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)(和光純藥工業(yè)(股份)制造)MEDG：二乙二醇乙基甲醚(東邦化學(xué)工業(yè)(股份)制造，哈伊索(Hisolve)EDM-S)PGMEA：乙酸甲氧基丙酯(昭和電工(股份)制造)＜MATHF的合成＞先將甲基丙烯酸(86g，1mol)冷卻至15℃，然后添加樟腦磺酸(4.6g,0.02mol)。向所述溶液中滴加2-二氫呋喃(71g，1mol，1.0當(dāng)量)。攪拌1小時后，添加飽和碳酸氫鈉(500mL)，并利用乙酸乙酯(500mL)進(jìn)行萃取，利用硫酸鎂進(jìn)行干燥后，將不溶物過濾，然后在40℃以下進(jìn)行減壓濃縮，對殘渣的黃色油狀物進(jìn)行減壓蒸餾，而獲得作為無色油狀物的沸點(diǎn)(bp.)54℃～56℃/3.5mmHg餾分的甲基丙烯酸四氫-2H-呋喃-2-基酯(MATHF)125g(產(chǎn)率為80％)。再者，MACHOE及PHSEVE以與MATHF相同的方法來合成。＜聚合體A-1的合成例＞向三口燒瓶中加入MEDG(89g)，在氮?dú)猸h(huán)境下升溫至90℃。歷時2小時向所述溶液中滴加MAA(成為所有單量體成分中的10mol％的量)、HEMA(成為所有單量體成分中的15mol％的量)、MATHF(成為所有單量體成分中的40mol％的量)、MMA(成為所有單量體成分中的15mol％的量)、GMA(相當(dāng)于所有單量體成分中的3mol％)、St(相當(dāng)于所有單量體成分中的17mol％)、V-65(相對于所有單量體成分的合計100mol％，相當(dāng)于3mol％)并使這些溶解。滴加結(jié)束后攪拌2小時，然后使反應(yīng)結(jié)束。由此獲得聚合體A-1。再者，將MEDG與其他成分的合計量的比設(shè)為60：40。即，制備固體成分濃度為40質(zhì)量％的聚合體溶液。如下述表中所示般變更所使用的單體的種類、聚合引發(fā)劑等，而合成其他聚合體A2～聚合體A18。將添加單量體的組成示于表1及表2中。[表1][表2]所述表中的未特別附加單位的數(shù)值將mol％作為單位。另外，聚合引發(fā)劑的數(shù)值是將單量體成分設(shè)為100mol％時的mol％。固體成分濃度可通過下式來算出。固體成分濃度：單體質(zhì)量/(單體質(zhì)量+溶劑質(zhì)量)×100(單位：質(zhì)量％)另外，當(dāng)使用V-601作為引發(fā)劑時，將反應(yīng)溫度設(shè)為90℃，當(dāng)使用V-65作為引發(fā)劑時，將反應(yīng)溫度設(shè)為70℃。＜硬化性組合物的制備＞以變成下述表中記載的固體成分比的方式，使聚合體成分、光酸產(chǎn)生劑、交聯(lián)劑、增感劑、堿性化合物、烷氧基硅烷化合物、表面活性劑、及其他成分在溶劑(MEDG)中溶解混合，直至固體成分濃度變成20％為止，然后利用口徑為0.2μm的聚四氟乙烯制過濾器進(jìn)行過濾，而獲得各種實(shí)施例及比較例的硬化性組合物。再者，表中的添加量為質(zhì)量％。表示用于實(shí)施例及比較例的各化合物的略號的詳細(xì)情況如下所示。＜聚合體成分＞A-1～A-18：根據(jù)所述合成例所合成的聚合體＜光酸產(chǎn)生劑＞B-1：下述所示的結(jié)構(gòu)(合成例將后述)[化27]B-2：下述所示的結(jié)構(gòu)(合成例將后述)[化28]B-3：下述所示的結(jié)構(gòu)(根據(jù)日本專利特表2002-528451號公報的段落0108中所記載的方法來合成)[化29]B-4：PAG-103(商品名，下述所示的結(jié)構(gòu)，巴斯夫制造)[化30]B-5：下述所示的結(jié)構(gòu)(合成例將后述)[化31]B-6：下述所示的結(jié)構(gòu)(根據(jù)WO2011/087011號公報的段落編號0128中所記載的方法來合成)[化32]B-7：GSID-26-1，三芳基锍鹽(巴斯夫制造)[化33]B-8：4,7-二-正丁氧基-1-萘基四氫噻吩鎓三氟甲磺酸鹽＜B-1的合成＞使1-氨基-2-萘酚鹽酸鹽4.0g懸浮于N-甲基吡咯烷酮16g中，添加碳酸氫鈉3.4g后，滴加4,4-二甲基-3-氧代戊酸甲酯4.9g，并在氮?dú)猸h(huán)境下以120℃進(jìn)行2小時加熱。放置冷卻后，向反應(yīng)混合液中添加水、乙酸乙酯來進(jìn)行分液，利用硫酸鎂對有機(jī)相進(jìn)行干燥后，進(jìn)行過濾、濃縮而獲得粗B-1A。利用硅膠管柱色譜法對粗B-1A進(jìn)行精制，而獲得1.7g的中間物B-1A。將B-1A(1.7g)與對二甲苯(6mL)混合，添加對甲苯磺酸一水合物0.23g并在140℃下進(jìn)行2小時加熱。放置冷卻后，向反應(yīng)混合液中添加水、乙酸乙酯來進(jìn)行分液，利用硫酸鎂對有機(jī)相進(jìn)行干燥后，進(jìn)行過濾、濃縮而獲得粗B-1B。將THF(2mL)與所有粗B-1B混合，在冰浴冷卻下滴加2M鹽酸/THF溶液6.0mL，繼而滴加亞硝酸異戊酯(0.84g)，升溫至室溫(25℃)為止后攪拌2小時。向所獲得的反應(yīng)混合物中添加水、乙酸乙酯來進(jìn)行分液，利用水對有機(jī)層進(jìn)行清洗后，利用硫酸鎂進(jìn)行干燥，然后進(jìn)行過濾、濃縮而獲得中間物粗B-1C。將所有中間物粗B-1C與丙酮(10mL)混合，在冰浴冷卻下添加三乙基胺(1.2g)、對甲苯磺酰氯(1.4g)后，升溫至室溫為止并攪拌1小時。向所獲得的反應(yīng)混合液中添加水、乙酸乙酯來進(jìn)行分液，利用硫酸鎂對有機(jī)相進(jìn)行干燥后，進(jìn)行過濾、濃縮而獲得粗B-1。利用冷甲醇將粗B-1再漿料化后，進(jìn)行過濾、干燥而獲得B-1(1.2g)。再者，B-1的1H-NMR光譜(300MHz，CDCl3)為δ＝8.5-8.4(m,1H),8.0-7.9(m,4H),7.7-7.6(m,2H),7.6-7.5(m,1H),7.4(d.2H),2.4(s,3H),1.4(s,9H)。＜B-2的合成＞向2-萘酚(10g)、氯苯(30mL)的懸浮溶液中添加氯化鋁(10.6g)、2-氯丙酰氯(10.1g)，將混合液加熱至40℃后反應(yīng)2小時。在冰浴冷卻下，向反應(yīng)液中滴加4N的HCl水溶液(60mL)，然后添加乙酸乙酯(50mL)來進(jìn)行分液。向有機(jī)層中添加碳酸鉀(19.2g)，在40℃下反應(yīng)1小時后，添加2N的HCl水溶液(60mL)來進(jìn)行分液，將有機(jī)層濃縮后，利用二異丙醚(10mL)將結(jié)晶再漿料化，然后進(jìn)行過濾、干燥而獲得酮化合物(6.5g)。向所獲得的酮化合物(3.0g)、甲醇(30mL)的懸浮溶液中添加乙酸(7.3g)、50質(zhì)量％羥基胺水溶液(8.0g)，并進(jìn)行加熱回流。放置冷卻后，添加水(50mL)，對所析出的結(jié)晶進(jìn)行過濾，利用冷甲醇進(jìn)行清洗后，加以干燥而獲得肟化合物(2.4g)。使所獲得的肟化合物(1.8g)溶解于丙酮(20mL)中，在冰浴冷卻下添加三乙基胺(1.5g)、對甲苯磺酰氯(2.4g)，升溫至室溫后反應(yīng)1小時。向反應(yīng)液中添加水(50mL)，對所析出的結(jié)晶進(jìn)行過濾后，利用甲醇(20mL)進(jìn)行再漿料化，然后進(jìn)行過濾、干燥而獲得B-2(2.3g)。再者，B-2的1H-NMR光譜(300MHz，CDCl3)為δ＝8.3(d,1H),8.0(d,2H),7.9(d,1H),7.8(d,1H),7.6(dd,1H),7.4(dd,1H)7.3(d,2H),7.1(d.1H),5.6(q,1H),2.4(s,3H),1.7(d,3H)。＜B-5的合成＞向安裝有攪拌器及溫度計的可分離式燒瓶中加入N-羥基萘二甲酰亞胺鈉鹽33.6g、4-二甲基氨基吡啶0.72g、四氫呋喃300毫升，并在室溫25℃下進(jìn)行攪拌來使其溶解。繼而，添加(+)10-樟腦磺酰氯42g并攪拌3小時后，添加三乙基胺15g，然后在室溫下攪拌10小時。繼而，將反應(yīng)溶液加入至蒸餾水300毫升中，并濾除所析出的沉淀。使用丙酮與己烷對所述沉淀重復(fù)進(jìn)行幾次再沉淀處理，而獲得B-5(12g)。[(C)交聯(lián)劑]C-1：丹納考爾(Denacol)EX-321L(長瀨化成(股份)制造)C-2：賽羅西德(Celloxide)2021P(大賽璐(股份)制造)C-3：亞龍氧雜環(huán)丁烷(ARONEOXETANE)OXT-221(東亞合成(股份)制造)C-4：多耐德(Duranate)17B-60P(旭化成化學(xué)(股份)制造)C-5：塔克奈特(Takenate)B-870N(三井化學(xué)(股份)制造)C-6：尼卡萊克(Nikalac)MW-100LM(三和化學(xué)(股份)制造)[其他成分](增感劑)E-1：9,10-二丁氧基蒽(川崎化成工業(yè)(股份)制造)(堿性化合物)F-1：下述結(jié)構(gòu)的化合物(DSP五協(xié)食品&化學(xué)品(DSPGOKYOFOOD&CHEMICAL)(股份)制造)[化34]F-2：二氮雜雙環(huán)壬烯(東京化成工業(yè)(股份)制造)F-3：2,4,5-三苯基咪唑(東京化成工業(yè)(股份)制造)F-4：艾迪科斯塔波(Adekastab)LA-52(艾迪科(股份)制造)(烷氧基硅烷化合物)G-1：γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷(KBM-403：信越化學(xué)工業(yè)(股份)制造)G-2：雙(三乙氧基硅烷基丙基)四硫醚(KBE-846，信越化學(xué)工業(yè)(股份)制造)G-3：癸基三甲氧基硅烷(KBM-3103，信越化學(xué)工業(yè)(股份)制造)(表面活性劑)H-1：由下述結(jié)構(gòu)式所表示的含有全氟烷基的非離子表面活性劑(F-554，迪愛生(股份)制造)[化35](其他添加劑)I-1：易璐諾斯(Irganox)1035(巴斯夫制造)＜實(shí)施例1～實(shí)施例84及比較例1～比較例68＞利用表3～表10中所示的硬化性組合物而在TFT基板上形成有機(jī)膜后，形成ITO或SiNx的任一者作為無機(jī)膜，進(jìn)而形成抗蝕劑層，而制成實(shí)施例1～實(shí)施例84及比較例1～比較例68的試樣。繼而，利用具有表11～表18中所示的組成的剝離液組合物，對這些各實(shí)施例或各比較例的試樣進(jìn)行抗蝕劑層的剝離去除，并進(jìn)行抗蝕劑層殘渣(蝕刻殘渣)的評價。所使用的剝離液組合物如下述般進(jìn)行制備。另外，感度、耐剝離液性、及蝕刻殘渣如后述般進(jìn)行評價。[表3][表4][表5][表6][表7][表8][表9][表10]＜剝離液組合物的制備＞以變成下述表中記載的比率的方式，將胺化合物、由(II-1)所表示的化合物、由下述式(II-2)所表示的化合物、水混合，而獲得各種實(shí)施例及比較例的剝離液組合物。再者，表中的添加量為質(zhì)量％。表示用于實(shí)施例及比較例的各化合物的略號的詳細(xì)情況如下所示。S-1-1：單乙醇胺S-1-2：N-丙醇胺S-1-3：單異丙醇胺S-1-4：2-(2-氨基乙氧基乙醇)S-1-5：單甲基乙醇胺S-1-6：N,N-二乙基羥基胺S-1-7：三乙四胺S-2-1：N-甲基吡咯烷酮S-2-2：1-(羥基甲基)-2-吡咯烷酮S-2-3：二甲基乙酰胺S-2-4：N-甲基甲酰胺S-2-5：二甲基甲酰胺S-3-1：二乙二醇單丁醚S-3-2：二丙二醇甲醚＜感度的評價＞使玻璃基板(益高(EAGLE)XG，10cm×10cm，0.7mm厚(康寧(Corning)公司制造))在六甲基二硅氮烷(HexamethylDisilazane，HMDS)蒸氣下曝露30秒，旋涂涂布各硬化性組合物后，在熱板上以90℃進(jìn)行120秒預(yù)烘烤來使溶劑揮發(fā)，而形成膜厚為3.0μm的硬化性組合物層。繼而，使用佳能(股份)制造的MPA5500CF(高壓水銀燈)，隔著規(guī)定的掩模對所獲得的硬化性組合物層進(jìn)行曝光。然后，利用堿性顯影液(0.4％的氫氧化四甲基銨水溶液)，在23℃下對曝光后的硬化性組合物層進(jìn)行60秒顯影后，利用超純水進(jìn)行20秒淋洗。將通過這些操作來對5μm的孔進(jìn)行解析時的最佳i射線曝光量(Eopt)設(shè)為感度。感度的數(shù)值越小越佳，A、B及C為實(shí)用上無問題的水平。A：未滿150mJ/cm2B：150mJ/cm2以上、未滿250mJ/cm2C：250mJ/cm2以上、未滿450mJ/cm2D：450mJ/cm2以上、未滿800mJ/cm2E：800mJ/cm2以上、或無法對孔進(jìn)行解析＜耐剝離液性的評價＞使玻璃基板(益高(EAGLE)XG，10cm×10cm，0.7mm厚(康寧公司制造))在六甲基二硅氮烷(HMDS)蒸氣下曝露30秒，旋涂涂布各硬化性組合物后，在熱板上以90℃進(jìn)行120秒預(yù)烘烤來使溶劑揮發(fā)，而形成膜厚為3μm的硬化性組合物層。繼而，使用超高壓水銀燈以累計照射量變成300mJ/cm2(照度：20mW/cm2，i射線)的方式進(jìn)行全面曝光，其后，利用烘箱在230℃下對所述基板進(jìn)行30分鐘加熱而獲得硬化膜。測定所獲得的硬化膜的膜厚(T1)。而且，使形成有所述硬化膜的基板在將溫度控制成60℃的表11～表18中所記載的剝離液中浸漬2分鐘后，測定浸漬后的硬化膜的膜厚(t1)，并算出由浸漬所造成的膜厚變化率{|t1-T1|/T1}×100[％]。將結(jié)果示于下述表中。變化率越小越佳，A、B及C為實(shí)用上無問題的水平。A：未滿2％B：2％以上、未滿3％C：3％以上、未滿4％D：4％以上、未滿6％E：6％以上＜蝕刻抗蝕劑殘渣(蝕刻殘渣)與剝離性的評價：ITO＞使玻璃基板(益高(EAGLE)XG，10cm×10cm，0.7mm厚(康寧公司制造))在六甲基二硅氮烷(HMDS)蒸氣下曝露30秒，旋涂涂布各硬化性組合物后，在熱板上以90℃進(jìn)行120秒預(yù)烘烤來使溶劑揮發(fā)，而形成膜厚為3μm的硬化性組合物層。繼而，使用超高壓水銀燈以累計照射量變成300mJ/cm2(照度：20mW/cm2，i射線)的方式進(jìn)行全面曝光，其后，利用烘箱在230℃下對所述基板進(jìn)行30分鐘加熱而獲得硬化膜。進(jìn)而，使透明電極(ITO)薄膜在所述硬化性組合物層上成膜，進(jìn)而在ITO上旋涂涂布蝕刻抗蝕劑組合物(安智電子材料(AZELECTRONICSMATERIALS)制造的AZ-1500)后，在熱板上以90℃進(jìn)行120秒預(yù)烘烤來使溶劑揮發(fā)，而形成膜厚為1.3μm的蝕刻抗蝕劑層。繼而，使用超高壓水銀燈，以40mJ/cm2的累計照射量(照度：20mW/cm2，i射線)，隔著可使10μm線/10μm空間再現(xiàn)的掩模對所獲得的蝕刻抗蝕劑層進(jìn)行曝光后，利用堿性顯影液(2.38％的氫氧化四甲基銨水溶液)，在23℃下進(jìn)行60秒顯影，繼而利用超純水進(jìn)行60秒淋洗。進(jìn)而，在50℃下使所獲得的基板在ITO蝕刻劑(3.4％草酸水溶液)中浸漬120秒。使所獲得的基板在將溫度控制成40℃的表11～表18中所記載的剝離液中浸漬120秒后，利用超純水進(jìn)行10秒淋洗。利用光學(xué)顯微鏡觀察通過這些操作所獲得的基板，并觀察所述硬化性組合物層表面的蝕刻抗蝕劑的殘渣。將其結(jié)果示于下述表中。殘渣的個數(shù)越少越佳，A、B及C為實(shí)用上無問題的水平。A：可剝離蝕刻抗蝕劑，且10cm×10cm基板內(nèi)不存在所述硬化性組合物層表面的蝕刻抗蝕劑的殘渣B：可剝離蝕刻抗蝕劑，且10cm×10cm基板內(nèi)的所述硬化性組合物層表面的蝕刻抗蝕劑的殘渣為一個～兩個C：可剝離蝕刻抗蝕劑，且10cm×10cm基板內(nèi)的所述硬化性組合物層表面的蝕刻抗蝕劑的殘渣為三個～五個D：可剝離蝕刻抗蝕劑，且10cm×10cm基板內(nèi)的所述硬化性組合物層表面的蝕刻抗蝕劑的殘渣為六個～九個E：可剝離蝕刻抗蝕劑，且10cm×10cm基板內(nèi)的所述硬化性組合物層表面的蝕刻抗蝕劑的殘渣為十個以上F：無法剝離蝕刻抗蝕劑＜蝕刻抗蝕劑殘渣(蝕刻殘渣)與剝離去除性的評價：SiNx＞使玻璃基板(益高(EAGLE)XG，10cm×10cm，0.7mm厚(康寧公司制造))在六甲基二硅氮烷(HMDS)蒸氣下曝露30秒，旋涂涂布各硬化性組合物后，在熱板上以90℃進(jìn)行120秒預(yù)烘烤來使溶劑揮發(fā)，而形成膜厚為3μm的硬化性組合物層。繼而，使用超高壓水銀燈以累計照射量變成300mJ/cm2(照度：20mW/cm2，i射線)的方式進(jìn)行全面曝光，其后，利用烘箱在230℃下對所述基板進(jìn)行30分鐘加熱而獲得硬化膜。進(jìn)而，使無機(jī)絕緣膜(SiNx)薄膜在所述硬化性組合物層上成膜，進(jìn)而在SiNx上旋涂涂布蝕刻抗蝕劑組合物(安智電子材料制造的AZ-1500)后，在熱板上以90℃進(jìn)行120秒預(yù)烘烤來使溶劑揮發(fā)，而形成膜厚為1.3μm的蝕刻抗蝕劑層。繼而，使用超高壓水銀燈，以40mJ/cm2的累計照射量(照度：20mW/cm2，i射線)，隔著可使10μm線/10μm空間再現(xiàn)的掩模對所獲得的蝕刻抗蝕劑層進(jìn)行曝光后，利用堿性顯影液(2.38％的氫氧化四甲基銨水溶液)，在23℃下進(jìn)行60秒顯影，繼而利用超純水進(jìn)行60秒淋洗。進(jìn)而，在50℃下使所獲得的基板在ITO蝕刻劑(3.4％草酸水溶液)中浸漬120秒。使所獲得的基板在將溫度控制成40℃的表11～表18中所記載的剝離液中浸漬120秒后，利用超純水進(jìn)行10秒淋洗。利用光學(xué)顯微鏡觀察通過這些操作所獲得的基板，并觀察所述硬化性組合物層表面的蝕刻抗蝕劑的殘渣。將其結(jié)果示于所述表中。殘渣的個數(shù)越少越佳，A、B及C為實(shí)用上無問題的水平。A～F的水平與針對ITO的所述A～F相同。將所獲得的評價結(jié)果示于以下的表11～表18中。[表11][表12][表13][表14][表15][表16][表17][表18]如根據(jù)所述結(jié)果而明確般，可知通過硬化性組合物與剝離液組合物的組合，硬化性組合物的硬化膜(有機(jī)絕緣膜)的耐剝離液性優(yōu)異，在利用剝離液組合物剝離無機(jī)膜上的蝕刻抗蝕劑后的硬化膜表面上蝕刻抗蝕劑殘渣少，還可良好地剝離蝕刻抗蝕劑。此外，在本發(fā)明的TFT基板的制造方法中，自硬化性組合物所獲得的硬化膜具有感度也高、耐剝離液性優(yōu)異這一優(yōu)點(diǎn)。＜實(shí)施例101＞在日本專利第3321003號公報的圖1中所記載的有源矩陣型液晶顯示裝置中，以如下方式形成硬化膜17作為層間絕緣膜，而獲得實(shí)施例101的液晶顯示裝置。即，使用實(shí)施例1的硬化性組合物，形成硬化膜17作為層間絕緣膜。進(jìn)而，隔著蝕刻抗蝕劑對硬化膜17的上層的像素電極4進(jìn)行圖案化，然后使用實(shí)施例1的剝離液組合物將述蝕刻抗蝕劑剝離去除。對所獲得的液晶顯示裝置施加驅(qū)動電壓，結(jié)果可知，其為顯示出良好的顯示特性、且可靠性高的液晶顯示裝置。＜實(shí)施例102＞僅變更以下的涂布工藝，而獲得與實(shí)施例101相同的液晶顯示裝置。即，利用狹縫涂布法涂布實(shí)施例1的硬化性組合物后，在熱板上以90℃進(jìn)行120秒加熱，由此去除溶劑，而形成膜厚為3.0μm的硬化性組合物層。所獲得的涂膜為平坦且無不均的良好的面狀。另外，作為液晶顯示裝置的性能也與實(shí)施例103同樣良好。＜實(shí)施例103＞通過以下的方法來制作使用了薄膜晶體管(TFT)的有機(jī)EL顯示裝置(參照圖1)。在玻璃基板6上形成底部柵極型的TFT1，并在覆蓋所述TFT1的狀態(tài)下形成包含Si3N4的絕緣膜3。繼而，在所述絕緣膜3上形成此處省略了圖示的接觸孔后，經(jīng)由所述接觸孔而在絕緣膜3上形成連接于TFT1的配線2(高度為1.0μm)。所述配線2是用以將TFT1間、或?qū)⑵浜蟮牟襟E中形成的有機(jī)EL元件與TFT1加以連接的配線。進(jìn)而，為了使由配線2的形成所造成的凹凸平坦化，在埋入由配線2所造成的凹凸的狀態(tài)下，朝絕緣膜3上形成平坦化膜4。朝絕緣膜3上的平坦化膜4的形成是將實(shí)施例1的硬化性組合物旋涂于基板上，在熱板上進(jìn)行預(yù)烘烤(90℃/120秒)后，使用高壓水銀燈自掩模上照射45mJ/cm2(照度為20mW/cm2)的i射線(365nm)，然后利用堿性水溶液進(jìn)行顯影而形成圖案，并在230℃下進(jìn)行30分鐘的加熱處理。涂布硬化性組合物時的涂布性良好，在曝光、顯影、煅燒后所獲得的硬化膜中，未看到皺褶或裂痕的產(chǎn)生。進(jìn)而，配線2的平均段差為500nm，所制作的平坦化膜4的膜厚為2,000nm。繼而，在所獲得的平坦化膜4上形成底部發(fā)光型的有機(jī)EL元件。首先，使包含ITO的第一電極5經(jīng)由接觸孔7連接于配線2而形成在平坦化膜4上。其后，涂布抗蝕劑，并進(jìn)行預(yù)烘烤，隔著所期望的圖案的掩模進(jìn)行曝光，然后進(jìn)行顯影。將所述抗蝕劑圖案作為掩模，通過使用ITO蝕刻劑的濕式蝕刻來進(jìn)行圖案加工。其后，在50℃下，使用抗蝕劑剝離液(去除劑(Remover)100，安智電子材料公司制造)將所述抗蝕劑圖案剝離。以所述方式獲得的第一電極5相當(dāng)于有機(jī)EL元件的陽極。繼而，形成覆蓋第一電極5的周緣的形狀的絕緣膜8。將實(shí)施例1的硬化性組合物用于絕緣膜8，以與所述相同的方法形成絕緣膜8。通過設(shè)置所述絕緣膜8，可防止第一電極5與其后的步驟中所形成的第二電極之間的短路。進(jìn)而，在真空蒸鍍裝置內(nèi)，隔著所期望的圖案掩模而依次進(jìn)行蒸鍍來設(shè)置空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層。繼而，在基板上方的整個面上形成包含Al的第二電極。自蒸鍍機(jī)中取出所獲得的所述基板，通過使用紫外線硬化型環(huán)氧樹脂而與密封用玻璃板進(jìn)行貼合來密封。如以上般，獲得在各有機(jī)EL元件上連接用以對其進(jìn)行驅(qū)動的TFT1而成的有源矩陣型的有機(jī)EL顯示裝置。經(jīng)由驅(qū)動電路而施加電壓，結(jié)果可知，其為顯現(xiàn)出良好的顯示特性、且可靠性高的有機(jī)EL顯示裝置。[符號的說明]1：TFT(薄膜晶體管)2：配線3：絕緣膜4：平坦化膜5：第一電極6：玻璃基板7：接觸孔8：絕緣膜10：液晶顯示裝置12：背光單元14、15：玻璃基板16：TFT17：硬化膜18：接觸孔19：ITO透明電極20：液晶22：彩色濾光片當(dāng)前第1頁1 2 3 當(dāng)前第1頁1 2 3