技術(shù)編號(hào)：8008950
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及半導(dǎo)體致冷取向晶體的制備方法及利用該方法的專用設(shè)備，屬微電子技術(shù)領(lǐng)域。目前的半導(dǎo)體致冷材料，一般認(rèn)為以Bi2Te3-Sb2Te3固溶體(P型)和Bi2Te3-Bi2Se3固溶體(N型)的取向晶體為最好，一般由區(qū)熔法或壓制法制備。區(qū)熔法是先經(jīng)過高溫熔煉使Bi、Te、Sb(或Bi、Te、Se)單元素混合物在真空玻璃管內(nèi)充分化合為固溶體，然后通過無(wú)外場(chǎng)區(qū)域熔化法生長(zhǎng)取向晶體或單晶體。材料的致冷質(zhì)量由優(yōu)值系數(shù)Z= (a2σ)/(k) 反映，其中α為溫差電動(dòng)勢(shì)率，σ為電導(dǎo)率，k為熱導(dǎo)率。目前我國(guó)廠家用區(qū)域熔...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。