技術(shù)編號(hào)：8015157
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種鈦酸鉛、鑭-(PbLa)TiO3(PLT)薄膜的形成方法，特別是具有A-軸定向的PLT薄膜的形成方法，即(100)取向指數(shù)，利用熱壁型低壓化學(xué)蒸氣沉積(LPCVD)法成形，呈現(xiàn)出改進(jìn)的特性，用這樣的PLT薄膜能制造高集成半導(dǎo)體裝置。一般地，在單晶體體基片上可制得鈦酸鉛、鑭-PLT薄膜，例如，氧化鎂(MgO)或藍(lán)寶石。按照這個(gè)方法，呈現(xiàn)出(001)取向指數(shù)的PLT薄膜用噴鍍或溶膠凝化方法沉積在單晶體基片上。這種方法在日本專利公布號(hào)J041199745A 07/20/1992(松下電器)和JO50...
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