技術(shù)編號：8023693
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及在一種新型襯底(302)和(100)LjAlO2材料上用MOCVD(金屬有機(jī)物化學(xué)汽相外延)技術(shù)生長GaN的方法，尤其是利用MOCVD(金屬有機(jī)物化學(xué)汽相外延)技術(shù)在LiAlO2襯底材料上生長a面和M面GaN薄膜材料。背景技術(shù) 以GaN為代表的IIIV族寬直接帶隙半導(dǎo)體由于具有帶隙寬(Eg＝3.39eV)、發(fā)光效率高、電子漂移飽和速度高、熱導(dǎo)率高、硬度大、介電常數(shù)小、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定以及抗輻射、耐高溫等特點(diǎn)，在高亮度藍(lán)光發(fā)光二極管、藍(lán)光激光器和紫外探測器等光電子器件以及抗輻射、高頻、高溫、高壓等電子器...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。