技術(shù)編號(hào):8030018
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù)本發(fā)明涉及用于半導(dǎo)體目的的碳化硅的生長(zhǎng),并涉及大的高品質(zhì)碳化硅單晶的籽晶升華生長(zhǎng)。本發(fā)明特別涉及減少利用籽晶升華技術(shù)生長(zhǎng)的大單晶中的缺陷密度和多型體(polytype)改變的改良。近年來(lái),碳化硅作為半導(dǎo)體材料已用于多種電子器件和目的。碳化硅因其物理強(qiáng)度和高的耐化學(xué)侵蝕性而特別有用。碳化硅還具有優(yōu)異的電子性能,包括抗輻射性(radiation hardness)、高擊穿電場(chǎng)、相當(dāng)寬的帶隙、高的飽和電子漂移速度、高溫操作以及對(duì)光譜的藍(lán)、紫和紫外區(qū)域中的高能光子的吸收和發(fā)射。單晶SiC通常是通過(guò)籽晶升華生長(zhǎng)方法制...
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