技術(shù)編號(hào)：8047014
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種，包括從在坩堝中加熱的熔融物拉出籽晶的單晶體；向坩堝底部的中心供應(yīng)熱量；以及從拉出的單晶體切片半導(dǎo)體晶圓。背景技術(shù)坩堝通常包括含有二氧化硅(例如，石英)的材料。其通常填充有由多晶硅構(gòu)成的塊體和/或微粒，所述多晶硅借助于圍繞坩堝設(shè)置的側(cè)面加熱器而熔化。在熔融物(melt) 的熱穩(wěn)定階段之后，多晶硅籽晶浸入到熔融物中并且升高。在該情形中，硅在籽晶被熔融物濕化的那端結(jié)晶。結(jié)晶率大致受籽晶升高的速度(晶體提升速度)以及熔融硅結(jié)晶的界面處的溫度影響。通過(guò)合適控制這些參數(shù)，首先稱為細(xì)頸部的區(qū)段被拉出，以便...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。