技術(shù)編號(hào)：8049542
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種連續(xù)型高溫化學(xué)氣相沉積法(High Temperature Chemical Vapor Deposition, HTCVD)碳化硅晶體生長(zhǎng)裝置或者鹵化物化學(xué)氣相沉積法(Halogen Chemical Vapor Deposition, HCVD)碳化硅晶體生長(zhǎng)裝置。背景技術(shù)碳化硅(SiC)是繼第一代半導(dǎo)體材料硅(Si)、鍺(Ge)和第二代半導(dǎo)體材料砷化鎵 (GaAs)后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料。由于SiC具有三倍于Si的寬帶隙、十倍于Si的高臨界擊穿電場(chǎng)、三倍于S...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。