技術(shù)編號(hào)：8070650
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要本發(fā)明提供一種用于鍺硅外延生長(zhǎng)的反應(yīng)室、方法及半導(dǎo)體制造設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供的用于鍺硅外延生長(zhǎng)的反應(yīng)室包括反應(yīng)腔體；設(shè)置于所述反應(yīng)腔體內(nèi)部的位置可調(diào)的支撐平臺(tái)；其中，所述反應(yīng)腔體被分成至少兩個(gè)不同的反應(yīng)區(qū)域，每個(gè)所述反應(yīng)區(qū)域均相應(yīng)設(shè)置有加熱器，以保證在進(jìn)行鍺硅外延生長(zhǎng)時(shí)在不同的所述反應(yīng)區(qū)域形成不同的反應(yīng)溫度；所述支撐平臺(tái)用于支撐和固定進(jìn)行鍺硅外延生長(zhǎng)的晶圓，其可以被調(diào)節(jié)至任何一個(gè)所述反應(yīng)區(qū)域。該反應(yīng)室可以使晶圓在每個(gè)反應(yīng)階段被快速調(diào)節(jié)至具有所需溫度的區(qū)域，提高了鍺硅外延生長(zhǎng)的效率。本發(fā)明的半...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。