技術(shù)編號(hào)：8075061
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要本發(fā)明公開了一種陣列式微洞陰極氣體放電等離子體射流裝置，該裝置包括自上而下設(shè)置的高壓電極、絕緣介質(zhì)層和接地電極，高壓電極和接地電極均由導(dǎo)電材料制成，所述絕緣介質(zhì)層采用絕緣材料制成；高壓電極為空心的箱體結(jié)構(gòu)，該箱體結(jié)構(gòu)的空心部分為高壓電極儲(chǔ)氣腔，箱體結(jié)構(gòu)上具有向高壓電極儲(chǔ)氣腔內(nèi)充氣的進(jìn)氣孔；所述箱體結(jié)構(gòu)的底部，絕緣介質(zhì)層和接地電極上分別具有多個(gè)第一通孔，第二通孔和第三通孔，第一通孔，第二通孔和第三通孔同軸設(shè)置且孔徑相同。相對(duì)于現(xiàn)有的8孔陣列式空氣等離子體射流裝置，本發(fā)明增加了微空心的數(shù)量，增大了等離子體射流面...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。