技術(shù)編號(hào)：8096509
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要，步驟包括設(shè)置寬帶低相干強(qiáng)光源、設(shè)置帶寬調(diào)制器、設(shè)置分光系統(tǒng)、參考臂產(chǎn)生光程差及頻移信號(hào)、從參考臂和檢測(cè)臂返回的光發(fā)生干涉后經(jīng)過光柵被分為不同波長(zhǎng)的干涉光譜信號(hào)，并被陣列CCD接收、經(jīng)過傅里葉變換得到入射光方向即軸向散射強(qiáng)度分布，再通過瑞利散射或拉曼散射絕對(duì)定標(biāo)，獲得等離子體電子密度軸向分布信息；由譜線的多普勒展寬得出電子的熱運(yùn)動(dòng)速率信息，從而獲得等離子體電子溫度分布；最大后通過考臂長(zhǎng)的平移調(diào)整改變光程差實(shí)現(xiàn)大深度等離子體(大于1m)的測(cè)量。本發(fā)明利用湯姆遜后向散射光學(xué)相干層析技術(shù)測(cè)量聚變堆等離子體電子溫度...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。