技術(shù)編號(hào)：8117803
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及太陽能光伏領(lǐng)域，具體涉及。背景技術(shù)近年來，隨著單晶硅產(chǎn)品在太陽能光伏領(lǐng)域內(nèi)的占用比例不斷提高，高純度單晶硅的需求量日益增大，對(duì)用于制備純單晶硅的石英玻璃坩堝自身的純度要求也日益提高。傳統(tǒng)真空電弧法制成的石英玻璃坩堝，由于快速降溫導(dǎo)致透明層內(nèi)會(huì)生成一定數(shù)量大小不等的氣泡，使得坩堝內(nèi)表面呈凹凸不平，增加了硅料與石英材料的接觸面，加劇了硅材料與石英材料之間的化學(xué)反應(yīng)，對(duì)生成的單晶硅產(chǎn)品造成污染，不利于制備高純度的太陽能光伏用單晶硅產(chǎn)品，而且也會(huì)嚴(yán)重影響單晶硅生產(chǎn)的成品率。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。