技術(shù)編號：8130002
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及。背景技術(shù)由III族元素和V族元素所組成的半導(dǎo)體材料，即II1-V族化合物半導(dǎo)體材料，如GaN、GaAs, InP基等半導(dǎo)體材料，它們的禁帶寬度往往差異較大，因此人們通常利用這些II1-V族化合物半導(dǎo)體材料形成各種異質(zhì)結(jié)構(gòu)，用以只做各種電子器件。由于在c面GaN上存在著非常強(qiáng)的自發(fā)極化和壓電極化，在c面GaN材料上生長的AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面存在著高密度和高遷移率的二維電子氣2DEG，所以不需要摻雜c面上的異質(zhì)結(jié)就存在著非常優(yōu)異的性能，這對功率器件是非常有利的。但是這種極化效應(yīng)在LED和LD...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。