技術(shù)編號(hào)：8140083
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及非極性GaN基稀磁半導(dǎo)體材料制備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種采用金屬 有機(jī)化合物氣相外延(MOCVD)工藝制備非極性GaN基稀磁半導(dǎo)體材料的方法。背景技術(shù)近年來(lái)，稀磁半導(dǎo)體材料和基于它的自旋電子器件受到研究者的廣泛關(guān)注，已經(jīng) 成為各國(guó)競(jìng)相開展研究的熱點(diǎn)領(lǐng)域。稀磁半導(dǎo)體將材料的半導(dǎo)體性能和磁學(xué)性能融于一 體，有望在磁電、磁光和磁光電等領(lǐng)域研制出具有速度快、功耗低、集成度高和非易失性等 特點(diǎn)的新型多功能自旋電子器件。在量子計(jì)算、量子通訊等現(xiàn)代信息技術(shù)領(lǐng)域具有廣闊的 應(yīng)用前景。當(dāng)前稀磁半導(dǎo)體材料研究工作的重點(diǎn)...
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