技術編號：8141383
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發(fā)明涉及一種在SiC襯底上外延生長石墨烯的方法以及由該方法制得的石墨烯和石墨烯器件。背景技術石墨烯是由Sp2雜化碳原子鍵合，且具有六方點陣蜂窩狀二維結構的單原子層石墨。這種室溫下穩(wěn)定存在的理想二維晶體材料，推翻了人們以前普遍接受的嚴格二維晶體無法在有限的溫度下存在的預言，對凝聚態(tài)物理的發(fā)展將產生重大的影響。同時，石墨烯作為零維富勒烯、一維碳納米管和三維石墨的結構基礎，因其獨特的結構和性能，已迅速成為國際新材料領域的研究前沿和熱點。石墨烯受到如此高的重視，主要源于其獨特的能帶結構能量與波矢成線性的色散關系，...
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