技術(shù)編號：8248260
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。TCO薄膜能夠得以廣泛應(yīng)用，主要依賴于其主同的導(dǎo)電率和光透過度。因此很多研究者通過不同的方法來優(yōu)化改良TCOS薄膜的性能。在這些薄膜中，ZnO是一種最重要的材料。但ZnO的電阻率高，電導(dǎo)率性能不好，為了降低ZnO薄膜的電阻率，很多傳統(tǒng)的金屬摻雜方法用來制備低電阻率的透明導(dǎo)電薄膜。但是傳統(tǒng)摻雜方法制備的摻雜ZnO薄膜的光致發(fā)光峰發(fā)生了偏移，這是因為Zn原子被摻雜原子替換后改變了原來ZnO本征光學(xué)禁帶寬度。困因此制備復(fù)合薄膜，使得它既保持ZnO的光致發(fā)光特性，...
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