技術(shù)編號：8320722
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。 本發(fā)明中描述的技術(shù)總體涉及半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，并且更具體地，涉及多層結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) 傳統(tǒng)的集成電路（1C)技術(shù)經(jīng)常用于在單片集成電路（1C)芯片上的大約相同的水 平面處制造許多半導(dǎo)體器件，諸如場效應(yīng)晶體管（FET)、雙極結(jié)型晶體管炬JT)、二極管、和 電容器。 在單片1C芯片上的大約相同水平面處集成不同的半導(dǎo)體器件可W具有許多劣 勢。例如，在先進技術(shù)中經(jīng)常需要實施更多的光刻和其他隨后的工藝步驟W單獨地制造各 個器件，該通常會增加制造成本和復(fù)雜性。此外，由于減...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。