技術編號：8321222
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。隨著電子信息產業(yè)的飛速發(fā)展，半導體芯片的集成度大幅度提高，光刻技術正在邁向14nm乃至1nm以下的分辨尺寸節(jié)點。光刻機的曝光波長已從436nm(Hg-g)、365nm(Hg-1)發(fā)展到 248nm (KrF) U93nm (ArF)和 157nm(F2)，正在向 13.5nm (EUV)甚至 6.Xnm等更短波長發(fā)展。EUV光源的類型主要包括同步輻射光源、放電等離子體(DPP)光源和激光等離子體(LPP)光源等。同步輻射光源通過改變帶電粒子在磁場中的運動速...
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