技術(shù)編號(hào)：8354444
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。聚吡咯作為導(dǎo)電高聚合物的一種，由于其具有較高的電導(dǎo)率，良好的化學(xué)、環(huán)境穩(wěn)定性以及獨(dú)特的氧化還原機(jī)理等特點(diǎn)，廣泛的應(yīng)用于傳感器、防腐材料、先進(jìn)電池的儲(chǔ)能材料等領(lǐng)域。在超級(jí)電容器領(lǐng)域中，聚吡咯由于具有環(huán)保、成本低、合成簡單以及高度可逆的摻雜/脫摻雜性能，得到了人們的大力研宄。常用的合成聚吡咯的方法主要有電化學(xué)合成法以及化學(xué)合成法。與合成量較低的電化學(xué)方法相比，化學(xué)合成法具有成本低、產(chǎn)量高的優(yōu)勢(shì)。目前，純聚吡咯的比電容一般保持在200~400F/g。Yang等通...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。