技術(shù)編號(hào)：8382524
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于材料領(lǐng)域，尤其涉及一種絕緣層上高濃度N型摻雜薄鍺材料及其制作方法。背景技術(shù)鍺材料具有比硅材料更高的載流子迀移率，并且在光通信波段(1.55 μ m)有較高的吸收系數(shù)，是制備高性能微電子及光電子器件的理想材料之一；同時(shí)，由于鍺材料的制備工藝與成熟的硅CMOS工藝相兼容，因此鍺器件在硅基光電集成方面的應(yīng)用具有成本上的優(yōu)勢。絕緣層上鍺材料(GOI)具有體鍺材料無法比擬的優(yōu)點(diǎn)一方面，GOI材料的制備技術(shù)是在頂層鍺和硅襯底之間引入了一層埋層氧化層，相比于體...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。