技術(shù)編號：8382596
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體照明領(lǐng)域，特別是涉及一種GaN基LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法。背景技術(shù)發(fā)光二極管(LED，Light Emitting D1de)由于具有壽命長、耗能低等優(yōu)點，已被廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域，尤其隨著其照明性能指標(biāo)日益大幅提高，LED在照明領(lǐng)域常用作發(fā)光裝置。其中，以氮化鎵(GaN)為代表的II1-V族化合物半導(dǎo)體，尤其是InGaN/GaN(氮化鎵銦/氮化鎵)基LED由于具有帶隙寬、發(fā)光效率高、電子飽和漂移速度高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等特點，在高亮度藍光發(fā)光...
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