技術(shù)編號：8396908
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。等離子體反應(yīng)裝置廣泛應(yīng)用于集成電路的制造工藝中，如沉積、刻蝕等。其中，常用的等離子體反應(yīng)裝置包括電容耦合型等離子體反應(yīng)裝置CCP和電感耦合型等離子體裝置ICP，等離子體反應(yīng)裝置的原理主要是使用射頻功率將輸入反應(yīng)裝置中的反應(yīng)氣體解離成等離子體，利用該等離子體對放置于其內(nèi)部的基片進(jìn)行等離子體刻蝕處理，不同刻蝕工藝需要的反應(yīng)氣體不盡相同。如在硅通孔刻蝕工藝中，由于需要刻蝕的硅通孔深度較大，為了能夠有效的進(jìn)行刻蝕，常采用下述步驟進(jìn)行刻蝕第一，刻蝕步驟，在等離子體反...
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