技術(shù)編號：8469062
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。目前，鑄造類單晶主要是采用在坩禍底部鋪設(shè)單晶硅籽晶的方法，以G5硅錠為例，按照圖1所示，將長X寬X高為156mmX156mmX30mm的單晶硅籽晶以5X5的方式拼接鋪設(shè)在內(nèi)徑為長X寬840mmX840mm的坩禍中，得到籽晶層，然后在籽晶層上方設(shè)置熔融狀態(tài)的硅料，控制坩禍底部溫度低于籽晶的熔點(diǎn)，使得籽晶不被完全熔化；降溫進(jìn)入長晶階段，硅料在不完全熔化的籽晶層上生長出類單晶硅錠。雖然采用該方法生產(chǎn)的類單晶硅片的電池效率比普通多晶硅片高，但是籽晶投入成本也較高。...
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