技術(shù)編號(hào)：8474075
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。目前，背照式影像芯片的晶圓級(jí)封裝量產(chǎn)采用UT和MVP封裝結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)對(duì)于高像素大尺寸芯片的封裝存在pad pitch (焊盤間距)要求尺寸大，封裝空腔大導(dǎo)致的可靠性差，封裝工藝流程復(fù)雜導(dǎo)致的成本高等問題。而影像芯片的晶圓級(jí)TSV(硅通孔)工藝技術(shù)雖然能解決pad pitch要求尺寸大的缺陷，但無法解決可靠性和高成本的問題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的之一在于提供一種背照式影像芯片的晶圓級(jí)低成本封裝工藝，該方法具有工藝簡(jiǎn)單、封裝成本低和可靠性高的特點(diǎn)，以解決現(xiàn)有技術(shù)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。