技術(shù)編號(hào)：8513570
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體集成電路的制造過程中會(huì)不可避免地混入一些可動(dòng)離子電荷，如化學(xué)制齊U、工藝設(shè)備、人體汗液都可能是可動(dòng)離子電荷的來源。而可動(dòng)離子電荷是一種存在于芯片中的雜質(zhì)污染，其主要成分為堿金屬離子，如鈉(Na)離子和鉀(K)離子等。可動(dòng)離子電荷在電場或者溫度的作用下會(huì)在二氧化硅層中移動(dòng)，從而引發(fā)器件參數(shù)的漂移，如金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxid-Semiconductor,簡稱M0S)器件的閾值電壓、高壓器件的擊穿電壓等。當(dāng)可動(dòng)離子電荷的污染使器件...
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