技術(shù)編號：8574149
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。石墨烯是碳原子按六角結(jié)構(gòu)緊密堆積成的單原子層二維晶體，載流子的本征迀移率可達(dá)到2X105cm/(V.S)，這種優(yōu)異的電學(xué)性質(zhì)使其在高頻電子器件中有著巨大的應(yīng)用價值。為了制備石墨烯電子器件，首要的問題是制備出大尺寸、具有優(yōu)異電學(xué)性能的石墨烯薄膜，并轉(zhuǎn)移至合適的目標(biāo)基底上。目前大尺寸石墨烯薄膜的制備方法主要有包括以下幾種(1)碳化硅(SiC)外延生長法，雖可獲得高質(zhì)量大面積的單層石墨烯，但是所使用的SiC的價格昂貴，生長條件苛刻，且生產(chǎn)出的石墨烯難于轉(zhuǎn)移；(2...
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