技術(shù)編號：9236795
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。自1991年發(fā)明超結(jié)半導(dǎo)體器件以來(參見美國專利US5216275)，經(jīng)過20多年的技術(shù)改進(jìn)，已成功開發(fā)出600V-900V的超結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(SuperJunct1n M0SFET)，廣泛用于電力電子設(shè)備，例如電源開關(guān)、馬達(dá)驅(qū)動、DC-DC變換器等領(lǐng)域。超結(jié)器件的核心結(jié)構(gòu)是垂直于器件表面下方(以下稱縱向)相互交替排列的P型摻雜半導(dǎo)體柱(簡稱P柱)和N型摻雜半導(dǎo)體柱(簡稱N柱)，這2種柱滿足電荷平衡條件。其原理是當(dāng)縱向加電壓時，P柱區(qū)和N柱...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。