技術(shù)編號(hào)：9275747
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。對(duì)于光電探測(cè)器而言，探測(cè)頻譜寬度和響應(yīng)速度是衡量其性能的生要參數(shù)。傳統(tǒng)的硅基和砷化鎵基的光探測(cè)器的波譜范圍和探測(cè)帶寬受到其能帶和載流子迀移率的限制，難以實(shí)現(xiàn)超快的寬帶吸收的光電探測(cè)，即傳統(tǒng)的光電探測(cè)器不能滿(mǎn)足某些對(duì)器件性能要求嚴(yán)格的應(yīng)用場(chǎng)合。和傳統(tǒng)的光電探測(cè)器的制備材料相比，石墨烯具有優(yōu)異的光學(xué)及電學(xué)特性。在可見(jiàn)光范圍內(nèi)，單層石墨烯能透過(guò)約97.7 %的入射光；石墨烯具有優(yōu)異的導(dǎo)電性能，其理論載流子迀移率遠(yuǎn)高于硅。這些優(yōu)異的性能促使石墨烯在光電探測(cè)領(lǐng)域具有...
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