技術(shù)編號：9289258
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。當(dāng)前可編程器件的技術(shù)主要有三種基于反熔絲技術(shù)、基于Flash技術(shù)和基于SRAM技術(shù)。反熔絲技術(shù)的特征為在未編程狀態(tài)下反熔絲單元處于高阻不導(dǎo)通狀態(tài)，編程過后反熔絲單元則處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)?；诜慈劢z技術(shù)的可編程器件憑借其集成度高、速度快、可靠性高、非易失性、硬件資源充裕、抗輻射能力強等優(yōu)點，成為空間領(lǐng)域的主流技術(shù)。對于反熔絲單元，典型的有三種結(jié)構(gòu)柵氧化層反熔絲單元結(jié)構(gòu)、ONO反熔絲單元結(jié)構(gòu)、MTM反熔絲單元結(jié)構(gòu)。對于深亞微米工藝，柵氧化層反熔絲單元結(jié)構(gòu)，編程電...
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