技術(shù)編號(hào)：9307937
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 近年來，半導(dǎo)體工業(yè)已經(jīng)發(fā)展了一種具有數(shù)納米到數(shù)十納米尺寸的圖案的超細(xì) (ultra-fine)技術(shù)。這種超細(xì)技術(shù)特別需要有效的光刻（lithographic)技術(shù)。 典型的光刻技術(shù)，包括提供材料層于半導(dǎo)體基材上；涂布光刻膠層于其上；對(duì)其 進(jìn)行曝光及顯影以提供光刻膠圖案；以及以所述光刻膠圖案作為遮罩蝕刻所述材料層。 如今，為了縮小所形成的圖案的尺寸，僅通過前述典型的光刻技術(shù)很難提供具有 優(yōu)異輪廓的精細(xì)圖案。因此，稱為硬遮罩層（hardmask layer)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。