技術編號：9328782
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。金屬氧化物半導體(MOS)技術已經(jīng)被廣泛使用。根據(jù)柵極電壓Vg和源極-漏極電壓Vds，MOS器件可以在包括線性區(qū)域、飽和區(qū)域和亞閾值區(qū)域的三個區(qū)域中工作。亞閾值區(qū)域是電壓Vg小于閾值電壓Vt的區(qū)域。已知為亞閾值擺幅(SS)的參數(shù)表示斷開晶體管電流的容易度，并且是確定MOS器件的速度的因素。亞閾值擺幅可以表示為函數(shù)mXkT/q，其中，m是與電容相關的參數(shù)，k是玻爾茲曼常數(shù)，T是絕對溫度，以及q是電子的電荷量。之前的研究已經(jīng)表明，典型MOS器件的亞閾值擺幅在室...
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