技術(shù)編號：9355377
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。近年來，為了實現(xiàn)高擊穿電壓、低損耗以及在高溫環(huán)境下應(yīng)用半導(dǎo)體器件，已經(jīng)開始采用碳化硅作為用于半導(dǎo)體器件的材料。碳化硅是一種具有比已經(jīng)常規(guī)地廣泛用作用于半導(dǎo)體器件的材料的硅的帶隙大的帶隙的寬帶隙半導(dǎo)體。因此，通過采用碳化硅作為用于半導(dǎo)體器件的材料，半導(dǎo)體器件可具有高擊穿電壓、降低的導(dǎo)通電阻等等。此外，有利地，由此采用碳化硅作為其材料的半導(dǎo)體器件即使在高溫環(huán)境下也具有比采用硅作為其材料的半導(dǎo)體器件更小劣化的特性。在可能發(fā)生在碳化硅襯底中的缺陷中，微管道是特別成...
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