技術(shù)編號：9395791
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明屬于微電子，尤其涉及一種單軸應(yīng)力施加裝置及應(yīng)變MOS芯片輸 出特性測試方法。背景技術(shù) 隨著集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，采用傳統(tǒng)的縮小晶體管尺寸的方法來提高晶體管性能 越來越受到成本和技術(shù)的限制。應(yīng)變硅技術(shù)通過在傳統(tǒng)的體Si器件中引入應(yīng)力可以提高 載流子的迀移率，同時能夠與現(xiàn)有Si工藝兼容，因此受到廣泛的關(guān)注和研究，并被應(yīng)用于 集成電路的制造中。由于晶格常數(shù)的改變，應(yīng)變硅中載流子的迀移率高于普通硅材料，這是 應(yīng)變硅性能提高的根本原因。也就是說，應(yīng)變硅器件性能...
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