技術(shù)編號：9398174
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體測試，尤其涉及一種電迀移測試結(jié)構(gòu)及測試方法。背景技術(shù)電迀移效應(yīng)(EM)是指因電子在電場的作用下沿傳導(dǎo)方向?qū)饘俚霓Z擊作用造成的金屬互連線原子迀移、擠出(造成短路)、斷裂(break，造成斷路)或缺口(gap)等現(xiàn)象，阻止電的流動，這種缺陷被稱為空洞(void)或內(nèi)部失效(internal failure)，即開路(OPen) ο電迀移還會導(dǎo)致一個導(dǎo)體中的原子堆積(pile up)并向鄰近導(dǎo)體漂移(drift)形成意料之外的電連接，這種缺陷被...
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